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题名一种MOS管自动功率老化测试系统的设计
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作者
杨修杰
尹保来
肖鹏
刘浩峰
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机构
中国测试技术研究院
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出处
《计算机测量与控制》
2020年第1期41-43,60,共4页
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基金
2018年四川省科技厅半导体可靠性测试平台项目(2018TJPT0009)
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文摘
通过分析MOS管结温对器件可靠性的重要性,指出现有老化方法在试验过程中未能达到最高允许结温,老化不充分的问题;提出了一种测试过程中实时测量MOS管导通电阻RDS(ON)推断结温的老化方法,使老化过程中受试器件的结温尽量控制在最高允许结温附近;介绍了自动老化测试系统的构成及工作模式,详细阐述了老化板的工作原理及老化参数标定的方法;以型号为IRFB4019的MOS管作为试验对象,对测试系统进行功能验证;试验结果表明,该老化方法试验过程受试器件结温可控,能够将结温控制在最高允许温度附近,可以更加有效地剔除存在潜在问题的器件,与现有方法相比,老化更充分。
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关键词
可靠性
MOS管
功率老化
极限结温
导通电阻
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Keywords
reliability
MOS transistors
power aging
ultimate junction temperature
on-resistance
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分类号
TN386/271
[电子电信—物理电子学]
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