GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术

综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。

腐蚀类型——电化学腐蚀（选择腐蚀／选择侵蚀）

选择侵蚀是采用腐蚀工艺从一种固相合金中去除惰性最小的成分、元素或相，留下惰性比较强的成分，呈疏松状的残余物。焊接材料的一种择优侵蚀被称为选择侵蚀。选择侵蚀的常见事例是黄铜的脱锌和灰铸铁的石墨化处理。选择腐蚀也可用金属中元素或相的阳极性质来解释。