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Si_3N_4／SiO_2辅助介质剥离膜的研究 被引量：1
1
作者 宫俊 周南生 张延曹 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期198-201,共4页
提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜．研究结果表明，采用Ｓｉ２Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质... 提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜．研究结果表明，采用Ｓｉ２Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜． 展开更多
关键词 MESFET 砷化镓 氮化硅 二氧化硅 薄膜 剥离工艺
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GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术(续) 被引量：2
2
作者 李效白 《半导体情报》 2000年第5期5-11,共7页
关键词 砷化镓 INP HFET 腐蚀技术
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