自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．

2μmp阱CMOS工艺中提高源－漏穿通电压的方法

采用防穿通注入的工艺方案，对提高２μｍｐＭＯＳ管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对Ｖ＿（Ｔｐ）的影响。

CMOS自对准硅化钛工艺研究

形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验。

注F的MOS电容电高辐射效应研究

对干氧栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳ电容进行了γ射线辐照试验，研究了不同注Ｆ剂量的ＭＯＳ电容电离辐射响应特征。结果表明，注Ｆ能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态，最佳抑制效果的Ｆ注入剂量范围是５×１０１４～２×１０１６Ｆ／ｃｍ２，且受注Ｆ工艺条件制约，少量或过量的Ｆ注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测Ｆ在Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和ＳｉＯ２中的行为将直接影响ＭＯＳ器件的辐照性能。而Ｆ的行为依赖于Ｆ的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。

离子注入在Power MOSFET中的应用

本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。

氧化过程中杂质分凝行为的模拟

本文以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。

轻掺杂漏(LDD)MOS FET工艺研究

本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOS FET.测试结果表明,轻掺杂漏MOS FET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度也较快。

一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究

介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底、Ｎ型Ｐ型双埋层、Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连线，ＰＥＣＶＤＳｉＮｘ介质作为钝化薄膜。

用全自对准方法制作超低导通电阻的功率MOS FET

本文论证了用全自对准加工方法制作超低导通电阻的功率MOSFET。新方法的特点是大部分工艺步骤,例如:沟道形式,栅的确定,和开接触孔等,通过一次光刻步骤来进行。这就容许封装密度显著增加,从而使得沟道电阻减小。 用4微米间距版图方案的新加工方法已经实现了单位面积为50cm/mm^2的棚宽,此值比常规VDMOSFET至少大四倍。实验制作器件的总栅宽在3.8mm×4.0mm芯片内为480cm,导通电阻为9mΩ,击穿电压为30V,导通电阻与面积的乘积为137mΩ·mm^2,是截至目前为止报导的最小值。

多晶硅栅的BCl^+离子注入技术

在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n+多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n+多晶硅注入B+,使其变成p+型多晶硅。可是,随着集成度的提高,最小线宽越变越窄,也要求多晶硅膜更薄,即使用很低能量的B+来注入,B+也会穿透多晶硅层进入基片中。为避免穿透,已发展了采用BF2+注入来形成P+型多晶硅栅的办法。它确实能有效地降低B的注入深度,但也带来了另外的问题,这就是BF2+注入多晶硅中的F元素,在氧化膜中扩散,在随后的热处理中,会使氧化膜中B加速扩散到基片中,引起VTH的变化,而成为一个麻烦问题。

MOSFET发展中的革命阶跃

SGS-THOMSON微电子公司是世界上第四大的MOSFET供应商,它正推出一种全新的MOSFET工艺,这种工艺将晶体管呈带状布局在芯片上,代替了传统的单元几何形状。尤其是,这种工艺将器件的导通电阻降低了20％。由于明显降低了漏-栅极电容,所以还能改进动态性能。这十年,此新工艺代表着一个里程碑,在其他有名的制造商的晶体管中占首位。而且,推出两种新型的TO-220和TO-247封装,为用户提供的产品,除了MOSFET本身性能提高了以外,功率密度也明显增加。

RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

ＲＭＯＳ（ＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＧｒｏｏｖｅｄＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形貌较好的硅槽，并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好。