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不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能 被引量:5
1
作者 张正选 罗晋生 +2 位作者 袁仁峰 何宝平 姜景和 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期682-687,共6页
对加固 C M O S 器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验,研究了 M O S F E T 阈值电压及 C M O S倒相器转换电压 Vtr、开门电压 Vih 、关门电压 Vil等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律.
关键词 CMOS器件 辐射剂量率 辐照实验
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深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展 被引量:6
2
作者 张卫东 郝跃 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期76-80,43,共6页
本文给出了深亚微米MOS器件热载流子效应及可靠性研究与进展.对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述.不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米... 本文给出了深亚微米MOS器件热载流子效应及可靠性研究与进展.对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述.不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础.本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型,尤其是MOS器件的热载流子退化模型. 展开更多
关键词 深亚微米 MOSFET 热载流子 可靠性 退化 模型
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功率 MOSFET 开关电路的吸收回路实验研究 被引量:5
3
作者 曹建章 宋建平 唐天同 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期58-60,共3页
介绍由MOSFET管构成的全桥开关电路在感性负载下大电流工作时两种吸收回路的实验研究结果。
关键词 MOSFET 开关电路 吸收回路 试验
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含F栅介质的击穿特性研究 被引量:2
4
作者 张国强 郭旗 +2 位作者 余学锋 任迪远 严荣良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期784-787,共4页
本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不... 本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响. 展开更多
关键词 MOS 含F栅介质 击穿 可靠性
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凹陷沟道SOI器件的实验研究 被引量:1
5
作者 张兴 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期931-935,共5页
本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜... 本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%. 展开更多
关键词 SOI器件 凹陷沟道 MOSFET 实验
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动态应力下MOSFET的热载流子效应与可靠性
6
作者 张卫东 汤玉生 郝跃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期399-407,共9页
叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述,为动态应力下CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表... 叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述,为动态应力下CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表征方法进行了讨论。 展开更多
关键词 热载流子 可靠性 退化 动态应力 模型 MOSFET
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砷化镓金属半导体场效应管接触退化的检测与分析技术
7
作者 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 1998年第1期17-21,共5页
本文叙述了反映砷化镓金属半导体场效应管接触退化的结构敏感参数的检测技术,并通过实例说明如何根据结构敏感参数的变化对砷化镓金属半导体场效应管进行失效定位和失效机理分析。
关键词 砷化镓 场效应管 结构敏感参数 失效分析
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CMOS输入电路抗ESD性能研究
8
作者 费新 朱正涌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期43-45,共3页
对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试方法,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达200... 对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试方法,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达2000V以上的抗ESD结构。 展开更多
关键词 集成电路 CMOS 输入电路 NPN结构 静电放电
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场效应管静电击穿及其防护
9
作者 樊庆芝 《电子质量》 1992年第3期42-43,共2页
关键词 场效应管 击穿特性 静电防护
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3 - 18 Nano-hardness of Chinese RAFM Steel Irradiated with Energetic Kr, Xe and Bi Ions
10
作者 Shen Tielong Wang Zhiguang Cui Minghuan Yao Cunfeng Sun Jianrong Li Yuanfei Wei Kongfang Zhu Yabin Pang Lilong Sheng Yanbin 《IMP & HIRFL Annual Report》 2012年第1期106-106,共1页
关键词 高电荷态离子 辐照实验 BI 纳米硬度 中国 活力
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裂变同位素靶管辐照实验
11
作者 陈炜 李润东 +2 位作者 朱世雷 王云 杨锐 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期67-68,共2页
为确认裂变同位素生产的安全性,这里描述了裂变同位素靶在300#堆的辅照实验过程和实验结果。 300#反应堆D3位置为未装控制棒的特殊燃料元件盒,为控制棒导管准备的孔道为Φ26mm,可以放入靶管。为安装实验设备,不使用靶管自备夹具,... 为确认裂变同位素生产的安全性,这里描述了裂变同位素靶在300#堆的辅照实验过程和实验结果。 300#反应堆D3位置为未装控制棒的特殊燃料元件盒,为控制棒导管准备的孔道为Φ26mm,可以放入靶管。为安装实验设备,不使用靶管自备夹具,另加工定位装置。定位装置由Φ5mm铝管加工而成,设两道轴向限位,防止靶管下落。靶管附近,铝管在4个方向开槽,以便冷却水流动。 展开更多
关键词 辐照实验 同位素靶 裂变 定位装置 同位素生产 冷却水流动 实验过程 燃料元件
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Search for "Missing" α-decay Branch in ^(239)Cm
12
作者 Qin Zhi D. Ackermann +15 位作者 W. Briuechle F. P. Hessberger E. Jaeger P. Kuusiniemi G. Muenzenberg D. Nayak E. Schimpf M. Schaedel B. Schausten B. Sulignano Wu Xiaolei K. Eberhardt J. V. Kratz D. Liebe P. Thoerle Yu. N. Novikov 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》 2005年第1期52-53,共2页
As a continuous search for the 'missing'α-decay of 239Cm, several irradiation experiments were done in July, 2005. The whole experimental procedure was similar as last year. To increase the yield of expected ... As a continuous search for the 'missing'α-decay of 239Cm, several irradiation experiments were done in July, 2005. The whole experimental procedure was similar as last year. To increase the yield of expected isotopes with intensive 12C beam, all of the irradiation have been done at night, and typical beam intensities varied between 0. 4-0.6 particleμA. Each irradiation lasted 4-6 h. The procedure of preparing 展开更多
关键词 失踪 衰变 辐照实验 实验过程 强度变化 同位素 光束 密集
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