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电阻栅MOSFET及其应用
1
作者
张万鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期59-61,共3页
介绍了RGMOSFET的基本原理,以及它的器件结构和伏安特性,提出了它的互补结构,分析其输出特性,并简单介绍了其应用前景。
关键词
伏安特性
互补结构
栅场效应晶体管
电阻
下载PDF
职称材料
绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术
2
作者
斯德谊
张凤言
《电工教学》
1995年第3期6-10,共5页
绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率...
绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率管高压和耐过流的优点。应用IGBJT组成中、大功率的开关稳压电源是新一代的电源高效率技术。下面就IGBJT工作原理和它在开关稳压电源中的应用实例进行分析。
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关键词
绝缘栅
双极型
晶体管电源
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职称材料
题名
电阻栅MOSFET及其应用
1
作者
张万鹏
机构
复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期59-61,共3页
文摘
介绍了RGMOSFET的基本原理,以及它的器件结构和伏安特性,提出了它的互补结构,分析其输出特性,并简单介绍了其应用前景。
关键词
伏安特性
互补结构
栅场效应晶体管
电阻
分类号
TN386.203 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术
2
作者
斯德谊
张凤言
机构
北京航空航天大学
出处
《电工教学》
1995年第3期6-10,共5页
文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率管高压和耐过流的优点。应用IGBJT组成中、大功率的开关稳压电源是新一代的电源高效率技术。下面就IGBJT工作原理和它在开关稳压电源中的应用实例进行分析。
关键词
绝缘栅
双极型
晶体管电源
分类号
TN386.203 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
电阻栅MOSFET及其应用
张万鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
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职称材料
2
绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术
斯德谊
张凤言
《电工教学》
1995
0
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职称材料
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