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电阻栅MOSFET及其应用
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作者 张万鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期59-61,共3页
介绍了RGMOSFET的基本原理,以及它的器件结构和伏安特性,提出了它的互补结构,分析其输出特性,并简单介绍了其应用前景。
关键词 伏安特性 互补结构 栅场效应晶体管 电阻
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绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术
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作者 斯德谊 张凤言 《电工教学》 1995年第3期6-10,共5页
绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率... 绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率管高压和耐过流的优点。应用IGBJT组成中、大功率的开关稳压电源是新一代的电源高效率技术。下面就IGBJT工作原理和它在开关稳压电源中的应用实例进行分析。 展开更多
关键词 绝缘栅 双极型 晶体管电源
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