静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。

MOS管故障诊断方法及分析

MOS管是全固态调频广播电视发射机功放模块的核心元器件。MOS管的放大能力及输出功率直接决定了发射机的输出功率,而发射机输出功率决定了发射信号的覆盖范围和接收场强的大小。功率放大单元是发射机维护检修工作的关键部位。掌握功放模块的MOS管故障诊断方法,有助于解决发射机功率放大器的故障,使功放模块正常工作。对于MOS管故障的诊断方法较多,各有优缺点,需要根据具体情况选择合适的方法进行故障诊断。对此,详细分析MOS管故障诊断方法、检测方法,为发射机维护人员提供一些参考。

复合结构的静电感应器件

复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构（用０...

100A/1200V静电感应晶闸管的设计

分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．

BSIT开启特性的研究

双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟．结果表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即由正向小栅压（ＶＧ≤０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压（ＶＧ≥０．５Ｖ）下的少子注入电流控制机制．数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降与饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压。

栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%。

非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析

本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性.

静电感应晶体管(SIT)电性能的控制

静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路．

台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。

BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成

对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增。漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩。在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系。这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化。

埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。

酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究

介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au 三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管。根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算。通过 I - V 方程的拟合,对其动作特性进行了研究。通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径。

表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。

大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制

文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的IV特性进行了测量,并给出了实际测试结果。

中小屏幕TFT-LCD源驱动器电路设计

针对中小屏幕TFT-LCD源驱动器电路,提出了一种新型的源驱动器结构,重点设计了一种电流可调、采用零点补偿的轨对轨结构的输出缓冲电路。该电路结构不但满足了系统功能和面积要求,而且能够很好地适应未来TFT-LCD芯片的发展趋势。Hspice仿真表明,在10kΩ电阻,20pF电容串连负载模型下的增益为90.7dB,相位裕度75°,静态电流消耗1.1μA,电路面积400μm2,满足了系统要求。

SIT耐压容量的控制和工艺调节

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。

复合结构静电感应晶体管的终端造型

为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。

复合结构静电感应晶体管的终端造型

为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。

短漂移区静电感应晶体管的特性研究

为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。

静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程。得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。