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SCR的I-V曲线中二次崩溃对ESD性能的影响
被引量:
1
1
作者
汤培望
《现代电子技术》
2010年第18期1-3,共3页
介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果。对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响。结果...
介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果。对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响。结果表明,SCR的二次崩溃曲线对器件的ESD性能有着非常好的效果,它可以在面积相当的情况下,大大改进器件的ESD性能。
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关键词
静电放电
SCR
I-V曲线
二次崩溃
下载PDF
职称材料
题名
SCR的I-V曲线中二次崩溃对ESD性能的影响
被引量:
1
1
作者
汤培望
机构
北京大学
出处
《现代电子技术》
2010年第18期1-3,共3页
文摘
介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果。对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响。结果表明,SCR的二次崩溃曲线对器件的ESD性能有着非常好的效果,它可以在面积相当的情况下,大大改进器件的ESD性能。
关键词
静电放电
SCR
I-V曲线
二次崩溃
Keywords
ESD
SCR
IV curve
second breakdown
分类号
TN403-34 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SCR的I-V曲线中二次崩溃对ESD性能的影响
汤培望
《现代电子技术》
2010
1
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