用角分布XPS法研究热处理时YBCO膜的表面组成变化及膜与衬底的相互作用

用角分布XPS法研究了MOD法制得的YBCO膜在热处理过程中膜的表面元素浓度变化以及膜与村底ZrO_2之间的原子扩散和固态化学反应。结果表明无论是薄膜(约0.1μm)和较厚的膜(约1～1.5μm),在大约530～720℃的温度范围内加热后都发生铜表面富集和钡表面浓度偏低。在800℃以上加热后铜的表面浓度显著降低,温度愈高,降低愈甚。膜与衬底之间的化学反应也随温度升高而加剧。例如薄膜在890℃加热后钡向ZrO_2衬底扩散,膜中的铜仍以+2价为主;在950℃加热后衬底表面生成了富钡层,而铜则主要以+1价的形式存在于富钡层表面。与厚膜相比,在800℃以上薄膜与衬底的原子扩散和固态化学反应对于膜超导电性的损害更显著。

高温热氧化工艺的统计模拟

本文具体介绍了高温热氧化工艺的统计模拟方法,并在此基础上对一种具体氧化工艺进行了计算和分析,指出了合理选择氧化工艺参数搭配的途径,对小尺寸集成电路的制造有一定实际意义。

超薄栅介质的可靠性研究

一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM的氧化层厚度小于10nm。如图1所示。 氧化层不仅可用作MOSFET的栅介质,还可构成动态存贮器的存贮电容,并提供器件之间的隔离层。随着集成度的提高,芯片面积不断增大,器件尺寸按比例缩小,栅介质的不稳定和击穿等成为MOS集成电路失效的主要原因。例如,在EEPROM中,隧道击穿是导致其疲劳损坏的主要原因。因此,了解、分析、提高超薄栅介质的稳定性与可靠性是十分必要的。