铁电电容的电极结构

作为铁电电容的电极材料 ,铂是使用最为广泛的金属。在 PZT薄膜的上下两层分别用离子束溅射淀积厚度为 50 nm和 10 0 nm的 Pt。在铂层上按常规工艺需蒸发 1～ 2 μm的 Al作为布线金属。为避免在热处理过程中的固相反应 ,Al/ Pt之间还需嵌入阻挡金属。观察了 Si,Co,Ni,Ti和 Ti/ W合金膜的阻挡特性。实验证明一定组分的 Ti/ W合金膜能有效地抑制 Al/ Pt固相反应 ,获得较为理想的接触特性。

离子束溅射镀膜技术研究

本文介绍了离子束溅射镀膜原理,对淀积束率与离子能量、束流密度的关系进行了实验研究。实验结果与理论分析有较好的一致性。

用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜

利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 .

射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨

介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。

影响磁控溅射膜质量的工艺因素

用磁控溅射新工艺取代传统的蒸发工艺，制造多种金属膜，用于大规模集成电路生产，改善了器件的性能，提高了成品率和可靠性。对多种金属膜作了简要结构性能分析，提出了其注意事项。

磁控溅射ZnO薄膜及其微观结构与光电特性

为了研究氧气与氩气的比例和溅射气压对Zn O薄膜的微观结构及光电特性的影响,在氧化铟锡(ITO)玻璃上采用射频感应耦合离子源增强磁控溅射方法镀上具有一定c轴择优取向的Zn O薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、紫外可见分光光度计表征薄膜微观结构与光电特性。结果表明随着氧分压的增加,薄膜表面的平整度先增加后减小,沿(002)方向生长的Zn O薄膜结晶度、晶粒尺寸先增加后减小,方阻先减小后增大,晶粒尺寸、方阻等值在O2和Ar的体积流量比为15∶60时达到极值。实验中改变溅射时的气压值,发现较大的溅射气压有利于磁控溅射的进行,有利于获得纯净的Zn O薄膜,在可见光范围内有的样品平均透过率超过90%。

溅射成膜技术的最新动向——多元同时溅射薄膜组分的精密控制

1 引言 在真空中高速的原子和分子与固体表面冲撞时,把固体表面的原子撞击出来,这种现象叫做溅射。1964年美国西部电气公司在Ta薄膜集成电路的制造中采用溅射枝术制造工业薄膜以后引起了大家的重视,以电子行业作为中心迅速地发展起来。 近几年来,在超LSI的电极布线和磁盘介质的制造中广泛使用了溅射薄膜技术。这种生产装置具有自动化和生产率高的特点,适合于最新型的工厂使用。 由于器件研究方面正在向最新器件发展,对于研究所需装置提出的要求的难度增大,制造装置的厂家面临很大的困难。

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。