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电化学汞齐法处理金表面的增强拉曼散射研究
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作者 陆云 金士 薛奇 《光散射学报》 1999年第3期239-242,共4页
采用汞盐的电化学还原法可通过控制电解的时间及速度来控制在金表面还原生成的金属汞的量,从而使金表面获得可控制的刻蚀,形成适当的粗糙度。以2,2联吡啶作为探针化合物吸附于在不同条件下汞齐化处理的金表面,收集其拉曼信号以... 采用汞盐的电化学还原法可通过控制电解的时间及速度来控制在金表面还原生成的金属汞的量,从而使金表面获得可控制的刻蚀,形成适当的粗糙度。以2,2联吡啶作为探针化合物吸附于在不同条件下汞齐化处理的金表面,收集其拉曼信号以确定最佳的刻蚀条件。经电化学汞齐化刻蚀活化的金表面比用通常的氧化还原循环处理的金表面具有更好的增强效果。将聚噻吩沉积在以上述刻蚀法粗糙化的金电极表面可获得信噪比高的亚单分子层的聚噻吩的SERS谱,并表明在三氟化硼乙醚中沉积的聚噻吩较之在通常的有机溶剂中沉积的聚噻吩具有更有序的排列结构。 展开更多
关键词 电化学还原 汞齐化处理 金表面 增强拉曼散射
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深硅槽开挖工艺 被引量:1
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作者 李祥 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第2期39-43,共5页
本文介绍了硅槽应用,即硅槽隔离和硅槽电容,对器件性能的改善。并介绍了硅槽隔离和硅槽电容的形成步骤及硅槽刻蚀剖面的形貌控制,CBrF_3刻蚀硅槽侧壁保护层的形成等等。
关键词 硅槽 刻蚀剖面 刻蚀工艺 集成电路
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氯—氢混合物中InP的RIBE
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作者 黄琪 《等离子体应用技术快报》 1996年第3期6-7,共2页
关键词 离子蚀刻 磷化铟 氯氢混合物
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