卧式MOCVD反应器内涡旋分布数值模拟

本文用有限元法,通过求解耦合的动量、能量微分方程组,对卧式冷壁MOCVD反应器内气体流动出现的涡旋分布进行了数值模拟,文中考虑了热浮力及反应器几何参数对涡旋分布的影响,同时讨论了涡旋发生与无量纲参数Gr、Re的比值Gr/Re^2的关系。计算结果表明,适当控制比值Gr/Re^2可以避免涡旋产生,从而为获得均匀生长速率提供了理论指导。本文的方法可用于类似地二维或轴对称流动涡旋分布的数值模拟。

PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化

以正文优化试验对ＰＥＣＶＤ工艺进行了最佳淀积条件的优化选择实验，经对最佳条件下所淀积的Ｓｉ＿３Ｎ＿４介质膜进行的科学而严格的光谱、理化特性测定证实了膜体质量是优良的，并在工艺生产中应用获得了十分满意的结果。

化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物

本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。

PVD淀积速率理论

本文建立了PVD淀积速率与光源功率以及淀积时间关系的理论,发现理论与薄膜厚度关于淀积时间关系的实验结果相符合。

用快速退火形成W_5Si_3,/GaAs肖特基接触

在超高真空条件下,GaAs衬底上淀积钨、硅多层夹层膜,用快速白光辐照形成单一化学相的W_5Si_3肖特基接触。其势垒高度好于0.7V。按Si/W=0.6淀积单层硅、钨膜,能观察到的硅化物相是WSi_2。文中还讨论了样品结构方式对钨硅化物生成相的影响。

离子束增强沉积技术新进展

介绍离子束增强沉积镀膜技术的国内外主要机型及工艺进展，特别是我们实验室离子束增强镀膜新工艺的进展。

热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨

对于热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)技术,安全性是不可缺少的一个重要方面。本文就热壁LPCVD技术中常用气体的化学性质和物理方法进行说明。只要操作人员充分理解其气体在使用过程中的危险性,并采取适当措施,LPCVD技术才是安全的。

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究

本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm^2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1～0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/V·S,透过率约42％。

氮化硅-硅界面陷阱的研究

本文对SiH_4-N_2系PECVD氮化硅-硅界面陷阱进行了研究.结果表明:MNS结构的C-V特性有滞后效应,滞后宽度随测试条件而变化;界面陷阱密度随淀积条件变化。

改善LTO膜均匀性

本文阐述了设备结构与LTO膜均匀性的关系,着重分析了气体分配器和笼罩舟的结构对改善LTO膜均匀性的作用,以及LTO优质膜的制备。

葛根粉丝中痕量砷的氢化物发生-原子荧光光谱法测定

目的通过对葛根粉丝中有害元素砷含量的测定，建立葛根粉丝中砷含量的测定方法。方法对葛根粉丝样品进行微波消解法处理，采用氢化物发生一原子荧光光谱法测定砷含量。结果砷元素在2.0～40．0ng·mL-1的范围内吸光度与浓度呈良好的线性关系（r=0.9996），平均回收率为9869％．RSD=157％（n=6）。结论该法简单、准确，可作为检测葛根粉丝中砷含量的方法。

采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层

美国电报电话公司贝尔实验室的研究人员研究了一种采用四乙氧基硅烷(TEOS)定向淀积硅氧化层的工艺。先前的研究显示,硅氧化层的台阶复盖随O_2:TEOS气体流量比而变化,在传统的富氧条件下不可能进行定向淀积。在上个月在加州圣克拉腊召开的VLSI多层互连会议上,他们报道了通过控制淀积的化学过程进行定向淀积的最新研究成果。

氢氧化钾和酸性溶液腐蚀硅片的比较

本文研究了KOH腐蚀法,它是代替酸腐蚀以去除硅片损伤的一种方法。业已发现,对硅片用户和生产者而言,KOH腐蚀均优于酸腐蚀。对硅片用户而言,KOH腐蚀使器件成品率更高,硅片更平整,背面形状更好,且避免了金属复盖层;对于硅片制造者而言,KOH腐蚀使下硅片成本更稳定更低,加工工艺更紧凑,加工环境要求更一般,加工温度更易于控制,腐蚀后硅片外形均匀性和一致性更好。作者确定了详细的腐蚀速率。

采用四乙基正硅酸盐的二氧化硅PECVD技术

本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有1个原子百分比浓度(a/o)的氮或碳。在反应中采用N_2O时,膜中氮浓度略有增加,达到2(a/o)。然而,在没有氧化剂的条件下,氮和碳浓度大致分别为18(a/o)和6(a/o)。膜的台阶覆盖(不考虑氧化剂)接近34％,与主要用硅烷的化学方法淀积的SiO_2膜所达到的10％相比较,有显著的改进。折射率、红外光谱和膜密度,似乎可表征淀积SiO_2膜的特征。TEOS-O_2膜的电特性产生大于6MV/cm的击穿电场,在1MV/cm下,漏电流密度为8×10^(-9)A/cm^2。具有同等厚度的热生长SiO_2的击穿电场和漏电流密度,分别为8MV/cm^2和2×10^(-9)A/cm^2。

高质量介质膜的淀积

打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。

用于化学汽相淀积的硅源气体

本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。