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KD(T)-4型点(凸)焊机单片微机控制器的研制
1
作者
张勇
谭义明
杨思乾
《机械科学与技术》
CSCD
北大核心
1995年第4期116-119,共4页
重点阐述了KD(T)-4型电阻交流点(凸)焊机单片微机控制器的控制原理及其软件结构。工艺试验及生产考核表明,文中提出的恒百分数和恒流控制模型是正确可行的,软件设计是合理的。
关键词
点焊
微机控制器
软件
集成电路
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职称材料
微电子表面组装焊点二维形态预测研究
被引量:
1
2
作者
王国忠
王春青
钱乙余
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期96-101,共6页
微电子表面组装(SurfaceMountTechnology,简称SMT)焊点形态的预测和控制研究对提高SMT工艺设计水平和决策效率,保证焊点和组件的可靠性有重要意义。本文基于焊点二维形态预测的Heinrich模型,...
微电子表面组装(SurfaceMountTechnology,简称SMT)焊点形态的预测和控制研究对提高SMT工艺设计水平和决策效率,保证焊点和组件的可靠性有重要意义。本文基于焊点二维形态预测的Heinrich模型,考虑元件与基板的高度间隙对焊点形态的影响,建立了进一步完善的SMT片式元件焊点形态预测模型,考察了熔融钎料性质、钎料量对焊点形态的影响。结果表明,焊点钎料量对焊点上、下圆角形态有不同程度的影响,元件与基板的高度间隙对焊点形态有显著影响。
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关键词
SMT
片式元件
焊点形态
预测
钎焊
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职称材料
两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究
3
作者
何杰
刘仲春
+2 位作者
栾洪发
刘理天
钱佩信
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第3期193-197,共5页
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺,对超高真空(UHV)下制备的Ti/Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针(AES)和X射线衍射(XRD)分析样品的组分及晶相。发现高温退火后,薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物...
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺,对超高真空(UHV)下制备的Ti/Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针(AES)和X射线衍射(XRD)分析样品的组分及晶相。发现高温退火后,薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物,这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外,还利用扫描电镜(SEM)观察了薄膜形貌,用VandePauw法测量了薄膜电阻。
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关键词
钛
硅化物
氮化物
两步退火
薄膜反应
集成电路
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职称材料
环氧芯片粘片:大芯片的挑战
被引量:
1
4
作者
ReneJ.Ulrich
郭大琪
《微电子技术》
1996年第5期128-132,共5页
芯片尺寸增大,就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时,可在芯片和载体之间获得绝无空洞的粘结层。最新开发了一种具有专利权的软件控制分配器。由于填料压力、分布方法不变,且应用原来的...
芯片尺寸增大,就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时,可在芯片和载体之间获得绝无空洞的粘结层。最新开发了一种具有专利权的软件控制分配器。由于填料压力、分布方法不变,且应用原来的工艺规范,导电胶就可均匀地分布在引线框架和芯片之间,不会出现银分离。
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关键词
环氧芯片粘片
芯片
导电胶
粘结剂
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职称材料
题名
KD(T)-4型点(凸)焊机单片微机控制器的研制
1
作者
张勇
谭义明
杨思乾
机构
西北工业大学
出处
《机械科学与技术》
CSCD
北大核心
1995年第4期116-119,共4页
文摘
重点阐述了KD(T)-4型电阻交流点(凸)焊机单片微机控制器的控制原理及其软件结构。工艺试验及生产考核表明,文中提出的恒百分数和恒流控制模型是正确可行的,软件设计是合理的。
关键词
点焊
微机控制器
软件
集成电路
Keywords
Spot welding Single chip computer controller Software
分类号
TN405.99 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
微电子表面组装焊点二维形态预测研究
被引量:
1
2
作者
王国忠
王春青
钱乙余
机构
哈尔滨工业大学
出处
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期96-101,共6页
文摘
微电子表面组装(SurfaceMountTechnology,简称SMT)焊点形态的预测和控制研究对提高SMT工艺设计水平和决策效率,保证焊点和组件的可靠性有重要意义。本文基于焊点二维形态预测的Heinrich模型,考虑元件与基板的高度间隙对焊点形态的影响,建立了进一步完善的SMT片式元件焊点形态预测模型,考察了熔融钎料性质、钎料量对焊点形态的影响。结果表明,焊点钎料量对焊点上、下圆角形态有不同程度的影响,元件与基板的高度间隙对焊点形态有显著影响。
关键词
SMT
片式元件
焊点形态
预测
钎焊
Keywords
SMT
chip component
solder joint formation
forecasting
分类号
TG454 [金属学及工艺—焊接]
TN405.99 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究
3
作者
何杰
刘仲春
栾洪发
刘理天
钱佩信
机构
清华大学微电子研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第3期193-197,共5页
基金
中国博士后科学基金
清华大学科学研究基金
文摘
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺,对超高真空(UHV)下制备的Ti/Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针(AES)和X射线衍射(XRD)分析样品的组分及晶相。发现高温退火后,薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物,这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外,还利用扫描电镜(SEM)观察了薄膜形貌,用VandePauw法测量了薄膜电阻。
关键词
钛
硅化物
氮化物
两步退火
薄膜反应
集成电路
分类号
TN405.99 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
环氧芯片粘片:大芯片的挑战
被引量:
1
4
作者
ReneJ.Ulrich
郭大琪
出处
《微电子技术》
1996年第5期128-132,共5页
文摘
芯片尺寸增大,就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时,可在芯片和载体之间获得绝无空洞的粘结层。最新开发了一种具有专利权的软件控制分配器。由于填料压力、分布方法不变,且应用原来的工艺规范,导电胶就可均匀地分布在引线框架和芯片之间,不会出现银分离。
关键词
环氧芯片粘片
芯片
导电胶
粘结剂
分类号
TN405.99 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
KD(T)-4型点(凸)焊机单片微机控制器的研制
张勇
谭义明
杨思乾
《机械科学与技术》
CSCD
北大核心
1995
0
下载PDF
职称材料
2
微电子表面组装焊点二维形态预测研究
王国忠
王春青
钱乙余
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
3
两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究
何杰
刘仲春
栾洪发
刘理天
钱佩信
《真空科学与技术》
CSCD
1996
0
下载PDF
职称材料
4
环氧芯片粘片:大芯片的挑战
ReneJ.Ulrich
郭大琪
《微电子技术》
1996
1
下载PDF
职称材料
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