反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用

本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。

碱性高锰酸钾去污和深腐蚀工艺介绍

一、概述在制造多层印制板过程中一个最重要的处理步骤就是去掉孔壁的沽污,在钻孔过程中,由于发热的树脂会超过其Tg值,当钻头从孔中缩回时,熔化的树脂会沉积在内层的接合处。而去污过程就是要去掉熔化的环氧树脂以及去掉在钻孔过程中粘附在扎壁上的介质物,尤其是内层铜环上的介质物。

磁场对反应离子刻蚀速率影响的研究

本文用自制的磁控反应离子刻蚀设备研究了磁场对反应离子刻蚀速率的影响.实验结果表明,磁场的引入使反应离子刻蚀速率明显提高.与不加磁场相比,加磁场后刻蚀速率可提高6-10倍.

利用国产设备的多晶硅膜等离子体腐蚀技术

本文介绍利用国产DK-P290型等离子刻蚀设备完成的多晶硅膜腐蚀技术的研究。利用SF_6作腐蚀剂,可以得到腐蚀速率超过0.1微米/分的均匀腐蚀。每批8个3吋园片,其单片和片间均匀性可达±5％以下。目前我们已将该技术用于所有的硅栅MOS电路的研制之中。在研究侧向腐蚀的过程中,我们还设计了一个不用扫描电镜作工具的实验方法。该法避免了样品的破坏性测量,从而降低了实验成本和测量周期。

光致抗蚀剂电沉积技术

对制造细线图形印制板使用的新的光致抗蚀剂电沉积技术的原理、电极反应、工艺过程及其使用装置进行了论述,可适用于大量生产5线/2.54mm的细线印制板。