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一种新的V形槽腐蚀方法
1
作者
钟秉福
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第1期5-8,共4页
本文介绍一种新的V形槽腐蚀方法。这种方法是在原KOH腐蚀剂的基础上,增加异丙醇,乙醇等缓冲剂和严格温度控制,获得良好的V形槽,电路芯片面积可以进一步减小。同时,为了便于磨抛,在电路划片间距内增设磨抛标志,保证单晶层厚度和质量。
关键词
介质隔离
V形槽腐蚀
固体电路
下载PDF
职称材料
题名
一种新的V形槽腐蚀方法
1
作者
钟秉福
机构
四川固体电路研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第1期5-8,共4页
文摘
本文介绍一种新的V形槽腐蚀方法。这种方法是在原KOH腐蚀剂的基础上,增加异丙醇,乙醇等缓冲剂和严格温度控制,获得良好的V形槽,电路芯片面积可以进一步减小。同时,为了便于磨抛,在电路划片间距内增设磨抛标志,保证单晶层厚度和质量。
关键词
介质隔离
V形槽腐蚀
固体电路
Keywords
Dielectric isolation, V-groove etching
分类号
TN430.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
一种新的V形槽腐蚀方法
钟秉福
《微电子学》
CAS
CSCD
1989
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