集成电路的闩锁测试

基于闩锁测试标准中提供的方法和流程,本文针对复杂集成电路中包含的特殊性质的管脚,对实际闩锁测试过程中特殊性质引脚的处理方法及注意事项进行了详细的阐述,为测试人员正确理解并执行集成电路闩锁测试标准提供了依据,也为准确评估集成电路的抗闩锁能力奠定了基础。

基于QEMU的跨平台静态二进制翻译系统

为了实现快速映射间接分支目标地址,提出地址索引映射表法,使用地址数组按源地址顺序保存所有对应的目的地址,索引数组存储源地址在地址数组中的索引位置,只需要几条指令就可以完成源地址到目的地址的映射,提高了执行速度.为了加快函数的调用处理,提出将本地栈作为影子栈、与本地库函数封装相结合的方法.本地栈模拟参数传递和返回,加速函数调用.结合封装接口处理参数和返回值,实现间接调用本地库函数,提高了函数处理能力.基于上述方法和QEMU,设计并实现了静态二进制翻译系统SQEMU.基于SPEC2006和nbench测试集,从x86平台翻译到Alpha平台的实验表明,SQEMU相对QEMU平均加速比分别达2.09倍和6.39倍.

电泳法制备ZnO/SiO_2复合薄膜

用电泳法在硅衬底上沉积了ZnO/SiO2复合薄膜,然后在650℃和950℃退火热处理30 min。测试结果表明,样品经650℃退火后,复合薄膜ZnO和SiO2微晶颗粒集结成块状,结晶程度较高,颗粒尺寸较大,不连续的散落在硅衬底上。经950℃退火后,其中ZnO和SiO2发生反应生成少量的ZnSiO4微晶颗粒,使复合薄膜在室温下的绿色发光强度有所增加。

BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。

一种高电源抑制的基准源的设计

本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题,通过采用LDO与带隙基准的混合设计,并且采用BCD工艺,得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR为-145 dB,在0～1 GHz频带内,最高PSR为-36 dB。在-50～150℃内,1.186 V基准的温漂为7.5 ppm/℃。

双界面法在多电源集成电路热阻测试中的应用

在依据JESD51-14中描述的一种基于瞬态结温测试的结到壳热阻双界面测试方法对多电源集成电路进行结壳热阻测试的过程中,选择不同的加热单元,所得的测试结果会出现不一致的情况。对同一款电路,通过对比和分析选择不同加热单元时结壳热阻测试的结果,得出:对多电源集成电路进行结壳热阻测试时,加热单元和测试单元应选取两种不同的电源,且加热单元尽量是电路中所占芯片面积最大的电源。如果选取一组电源作为加热单元,不能保证足够的发热面积,可以选取多组电源做为加热单元,以获得更为准确的测试结果。