一种基于CMOS亚阈值设计的低失调基准电路

基于工作在亚阈值区域的PMOS管,提出一种叠加结构的低失调带隙基准电路。该方法将传统基准电路中倍乘的失调电压转变为均方根的形式,有效降低了基准电路的失调电压。仿真表明该基准电路的输出电压为1.07 V,3σ范围内的失调电压为6.69 mV,温度特性为21.3 ppm/℃,PSRR为-56 dB。该电路在TSMC18工艺下成功流片。