一种带双极性基准的双R-2R电阻网络结构

介绍了一种带双极性基准(±10 V)的双R-2R电阻网络结构。该结构充分利用双极性基准的优势,减少了双极性输出所需运算放大器的数量,提高了D/A转换器的精度;同时又降低了电路对工艺绝对精度的要求。经过理论推算和电路模拟仿真,在相同工艺精度条件下,采用该结构的12位D/A转换器,其精度优于其他两种采用常规双极性输出结构的D/A转换器。

基于RSM和均匀试验的IC成品率设计方法

本文给出了一种基于均匀试验设计的响应表面模型,同时得到该模型在VLSI集成电路参数成品率中的优化方法。本方法首先对电路的关键参数进行扫描,确定满足电路基本性能时的参数变化范围。在此范围内,可对电路参数进行以数论方法为基础的均匀试验设计和建立响应表面。对拟合得到的响应表面模型进行CV拟合检验,求出最佳的电路设计值。本方法适用于集成电路的工艺、器件和电路级的模拟。

一种适用于模/数混合集成电路的新型低噪声电流控制逻辑

本文给出了一种新型低噪声电流控制逻辑结构，用于在模／数混合集成电路的设计中取代静态CMOS逻辑，以减小数字开关噪声通过衬底耦合对模拟电路性能的影响．在分析了该逻辑的基本工作原理后，本文对电流控制逻辑的逻辑结构，开关特性，噪声特性和功耗及功耗-延迟积等性能与静态CMOS逻辑作了比较，并用电路模拟进行了验证．理论分析和电路模拟的结果都显示，和静态CMOS逻辑相比，新型电流控制逻辑的峰值噪声电流下降了近三个数量级．该逻辑具有很好的设计灵活性和低电压工作性能，并已成功地应用于一个高性能的过采样A／D转换电路中．

重掺杂型混合信号集成电路衬底的噪声模型研究

应用器件模拟软件 SILVACO模拟三种结构重掺杂型衬底中注入高频电流的分布 ,根据模拟结果分析得出重掺杂型衬底的简化模型为一单节点 ,进而将简化模型与实际的混合信号集成电路结合 ,建立起重掺杂型衬底的噪声模型 。

混合集成电路金属封装底座热变形的实验研究

采用云纹干涉法对混合集成电路金属封装底座 (铜基板 -可伐密封圈结构 )的热变形进行了测试研究 ,在集成电路工作温度范围内的不同温度条件下 ,获得了底座的截面位移场分布及变形数据 ,并计算了样品的热膨胀率。文中对可伐引线、密封圈的应变特征及其对铜基板热变形的影响进行了讨论 。

适合航天电子系统应用的DC－DC变换器

讨论了航天ＤＣ－ＤＣ混合集成电路的拓朴结构。通过对几种电路的性能比较，提出了适合航天应用的ＤＣ－ＤＣ变换器的最佳拓朴结构。论述了ＰＷＭ－ＬＩＮ变换器的控制方法，该方法对于确保二次稳压ＤＣ－ＤＣ变换器较高的效率具有重要意义，亦可大大提高混合集成电路的成品率。

混合电路外壳引线局部镀金技术研究

混合电路外壳引线多、体积大 ,用整体镀金技术导致成本加大 ,而封装时只需引线镀金。采用外壳整体镀镍后引线部分镀金工艺可实现这一要求。但镍层的电极电位必须与金的电极电位相近 ,防止金被镍置换。研究给出了镀镍的方法和镀金液的配方 ,效果十分良好。

低成本多芯片组件

低成本多芯片组件同样具有高性能，是推进ＭＣＭ向工业和民用电子产品应用的重要技术基础。分析了影响ＭＣＭ成本的因素，介绍了国外低成本多芯片组件的现状及应用。

ICP压电传感器

介绍了传统电荷放大器测试系统和ＩＣＰ测试系统，分析了ＩＣＰ系统的优点。给出了未加装ＩＣＰ和加装ＩＣＰ后的加速度计的比较测试图。对实际工作很有意义。

多芯片组件的检测方法

多芯片组件的测试分三类：基板、ＩＣ裸芯片和组件测试。各类测试都有若干种不同的测试方法，如多层基板的电学测试法，光学测试法；ＩＣ裸芯片的内建自测试法，界面扫描法；组件的全功能测试法，有限功能测试法等。本文对这些方法的优点与不足处，测试设备使用时应注意的事项，适用对象等作了详尽的介绍，还对各种类似方法的功能作了比较。

圆片规模集成电路光学互连的实现

本文评述了光互连技术在圆片规模集成电路中的应用现状.并据具体的工艺实施指出了存在的问题及将来的解决办法.

混合电路表面温度分布的一种新计算方法

研究混合电路的矩形三层有限模型，通过计算机求解含有特殊函数的数值积分来计算混合电路上表面温度分布，并将这一方法编制成计算机软件。计算结果和实测结果基本一致。

厚膜Au导体的超声键合技术研究

Al丝超声键合技术是混合电路组装中使用得最为普遍的一种键合技术。本文使用焊点破坏性拉力试验和焊点的接触电阻测试两种方法，研究了导体材料（Au、Pd—Au）、膜层厚度、125℃、300℃热老练和温度循环对焊点键合强度的影响。分析了键合强度降低和焊点失效的原因。

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。

厚膜金导体的可靠性试验

介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果。对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析 ,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题。

厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法──水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用此方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。并且应用电化学理论分析了Ｐｄ－Ａｇ导体的金属迁移过程．最后根据实验及分析，提出了抑制厚膜导体金属迁移的若干措施。

BiCMOS电路可测性设计探讨

本文提出了ＢｉＣＭＯＳ电路的实用可测性设计方案，该方案与传统方法相比，可测性高，硬件花费小，仅需额外添加一个ＭＯＳ管和两个控制端，就可有效地用单个测试码测出ＢｉＣＭＯＳ电路的开路故障和短路故障，减少了测试生成时间，可广泛应用于集成电路设计中。

GTR模块驱动电路—M57215BL使用技巧

介绍了GTR模块专用驱动电路—M57215BL的应用电路,指出了实际应用时所遇到的一些问题及其解决方法。

LT63125/LT63127双冗余总线收发器的测试

本文介绍了 L T63 1 2 5 / L T63 1 2

一种新型的CMOS电流转换电路的设计

提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数（阈值电压和氧化层的厚度）依赖性较低，适用于以电流模式工作的数模混合电路。