低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。

混合集成电路金属封装底座热变形的实验研究

采用云纹干涉法对混合集成电路金属封装底座 (铜基板 -可伐密封圈结构 )的热变形进行了测试研究 ,在集成电路工作温度范围内的不同温度条件下 ,获得了底座的截面位移场分布及变形数据 ,并计算了样品的热膨胀率。文中对可伐引线、密封圈的应变特征及其对铜基板热变形的影响进行了讨论 。

混合电路外壳引线局部镀金技术研究

混合电路外壳引线多、体积大 ,用整体镀金技术导致成本加大 ,而封装时只需引线镀金。采用外壳整体镀镍后引线部分镀金工艺可实现这一要求。但镍层的电极电位必须与金的电极电位相近 ,防止金被镍置换。研究给出了镀镍的方法和镀金液的配方 ,效果十分良好。

混合MIC电路的制作质量要素

随着微波技术的发展，混合微波集成越来越受到人们的重视，介绍了制造混合ＭＩＣ电路的制作质量要素，即工艺控制难点所在。文章从厚膜、薄膜、微波印制、微组装以及表面组装五个大的方面进行了阐述。文中虽不能包罗所有要素，但其指出的制造难点却是各位同行和管理人员所必须了解的。文章的内容有利于对混合ＭＩＣ电路制作工艺有一个全面的了解和把握制作的关键。

脉冲选择电镀金加厚工艺技术研究

文章简要了介绍脉冲电镀原理、优点，并详细讨论了脉冲电镀用于薄膜混合集成电路（ＨＩＣ） 金导带选择加厚的方法，同时研究了掩膜制作技术及脉冲电镀金（Ａｕ） 时的影响因素，最后对加厚导带的光刻方法进行了讨论。

圆片规模集成电路光学互连的实现

本文评述了光互连技术在圆片规模集成电路中的应用现状.并据具体的工艺实施指出了存在的问题及将来的解决办法.

厚膜Au导体的超声键合技术研究

Al丝超声键合技术是混合电路组装中使用得最为普遍的一种键合技术。本文使用焊点破坏性拉力试验和焊点的接触电阻测试两种方法，研究了导体材料（Au、Pd—Au）、膜层厚度、125℃、300℃热老练和温度循环对焊点键合强度的影响。分析了键合强度降低和焊点失效的原因。

军用混合集成电路的现状及对策(续)

军用混合集成电路的现状及对策（续）西安微电子技术研究所（西安７１００５４）王毅５．１军用ＨＩＣ的生产及应用概况经过几年的建设，国内军用ＨＩＣ的生产能力和生产技术较前大大提高，初步形成小批量多品种生产能力，军用ＨＩＣ的品种达到二百多种，并能满足质量要求...

高可靠厚膜DC/DC变换器工艺及制造应用

1259℃DC/DC变换器代表了军用DC/DC变换器可靠性的最高标准,需采用厚膜工艺配套,利用浅腔金属外壳封装替代平底式金属外壳锡焊封装,来提高气密性(漏气率达10^(-8)atm·cm^3/sec数量级),克服锡焊使用助焊剂造成电路受松香污染的缺陷。本文阐述的高可靠厚膜DC/DC变换器所涉及的关键工艺有:厚膜多层工艺、基板与底座的焊接工艺、元器件与变压器的粘接/焊接工艺、粗细(Au、Al)丝焊工艺,平行缝焊工艺,这样的工艺具有很高的应用价值和技术水平。。本文也介绍了封装的工艺结构,推荐的高可靠厚膜DC/DC变换器工艺流程。高可靠DC/DC变换器的制造应用,关键在于产品质量和标准化管理(军标GJB2438)。

固定行线性生产工艺的改进

分析了影响固定行线性直流叠加特性的因素改进生产工艺，使之成品率得以提高。

适于SMT的微波混合集成电路制造工艺

通过对微波混合集成电路采用ＳＭＴ进行批生产的前提条件———薄膜电路的焊接性能进行了理论分析和实验研究，得出了铜薄膜体系（ＣｒＡｕＣｕＡｕ）工艺最适于满足ＳＭＴ要求的微波混合集成电路的制作，并给出了制作实例。

硅衬底Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜光敏特性的研究

利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性。实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV,且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27ms。

混合微电路封装外壳的封焊技术简介

混合微电子技术是实现高可靠电子系统微型化的有效途径。混合微电路采用高气密性材料进行封装,这是实现混合微电路在各种环境条件下有效应用的必要手段。随着粘片与丝焊技术的成熟和芯片成品率的迅速提高,混合微电路后部封装的成本占整个组件成本的比重逐渐上升。据外刊报道,美国混合微电路封装外壳成本在1990年已增长到16%以上,可见封装外壳已起着举足轻重的作用。封装外壳在装贴各种元器件后需要封接盖板(盖板一般是由陶瓷或金属制成),这就需要相应的高气密性封焊技术。本文对这一封焊技术逐一介绍。

锡膏点涂分配装置在微型混合电路基片表面贴装中的应用

文章通过对微型混合电路基片表面贴装工艺技术的分析，论述了焊锡膏的特性和焊锡膏粘度、喷嘴尺寸与自动配合装置的匹配原则；同时还论述了视觉瞄准系统在自动分配装置中的应用。对于解决继电器生产中的密封胶自动点涂工艺有一定积极意义。

混合集成电路生产中的统计工艺控制技术

本文简述了统计工艺控制技术的基本原理,并将它应用在混合集成电路的生产中,从而大大提高了生产率和成品率。介绍了采用统计工艺控制技术对混合集成电路各主要生产流程,即制网(包括绷网、印刷和烧结)、芯片粘接、线焊、激光修调和管壳封焊中关键工艺参数的实时监测和控制,以保证有一个稳定的、处于最佳状态的工艺。

功率混合集成电路的封装应力分析

文章对贮能焊封装过程中管壳的受力状态进行了分析，给出了各结合层残余应力的计算结果，结果表明：管壳的翘曲度对电路内部各结合层受力装态的影响很大。

大面积高密度多层厚膜表面组装件的研制

介绍了研制大面积高密度多层厚膜表面组装件的概况及组装设计与制造工艺上所采取的措施。该组装件尺寸为９５ｍｍ×６７ｍｍ×１ｍｍ，布线密度为１２．５根／ｃｍ，介质通孔密度７．８个／ｃｍ２，元器件总数为１２２只，显示了该组装件的组装工艺水平。

激光软钎焊在混合IC及电子产品小型化中的应用

作为激光软钎焊所用的激光,主要为CO_2激光和YAC激光两种,由于波长不同其特性也不同。由表(1)所示,从1983年起随着光缆的正式使用,与之相结合的YAG激光开始在越来越多的场合得到应用。使用YAG激光的优点是:①焊锡熔融时的反射很小。②对陶瓷基板、玻璃环氧基板、柔性基板等的损伤很小。③由于使用了光缆,工作时可以从任意、安全的位置进行功率传递。YAG激光可连续振荡输出,且可实现高循环脉冲输出,故能用以修边、焊接、打孔、切割、打印、维修等多种加工。

氮气中烧结的厚膜介质浆料

厚膜铜导体的烧结通常是在惰性气氛中进行的,与其配套的多层布线介质材料也应适合在惰性气氛中烧结。研制的ZnO-Al_2O_3-SiO_2-ZrO_2系介质材料介电常数小(ε<6),损耗角正切低(tgδ<10×10^(-4)),绝缘电阻高(R≥10^(13)Ω),材料烧结后主晶相是立方ZrO_2,适于惰性气氛(如N_2)烧结,可用作铜导体多层布线系统介质材料。

陶瓷高熔点金属的金属化

本文从1938年德国人开发的德律风根法(Mo金属化法)开始,及其发展至完善的Mo/Mn金属化技术,直至本世纪八十年代,纵观了整个高熔点金属金属化发展史。其次,详细地介绍了金属化方法——干式金属化法和湿式金属化法。对于氧化铝瓷的成分、金属化膏的组成、高熔点金属的颗粒大小及烧成温度等对接合强度的影响也予以较为详细的介绍。