混合集成电路金属封装底座热变形的实验研究

采用云纹干涉法对混合集成电路金属封装底座 (铜基板 -可伐密封圈结构 )的热变形进行了测试研究 ,在集成电路工作温度范围内的不同温度条件下 ,获得了底座的截面位移场分布及变形数据 ,并计算了样品的热膨胀率。文中对可伐引线、密封圈的应变特征及其对铜基板热变形的影响进行了讨论 。

陶瓷高熔点金属的金属化

本文从1938年德国人开发的德律风根法(Mo金属化法)开始,及其发展至完善的Mo/Mn金属化技术,直至本世纪八十年代,纵观了整个高熔点金属金属化发展史。其次,详细地介绍了金属化方法——干式金属化法和湿式金属化法。对于氧化铝瓷的成分、金属化膏的组成、高熔点金属的颗粒大小及烧成温度等对接合强度的影响也予以较为详细的介绍。

混合封装能实现最佳的电路保护

混合电路需要一个密封的管壳将电路保护起来,尤其是芯片与布线的混合更是如此。只要观察一下封装好的混合电路器件便可知道外部封装是总体组装的一个重要组成部分。据统计,这种封装约占混合电路器件总成本的14％,1990年将增加到16％。混合封装的作用是安装和保护陶瓷混合电路,即厚膜电路或薄膜电路,以便提供一个密封的环境。这种封装必须保证散热好、尺寸小以及为下步组装提供可靠的连接方法——通常是焊到一块印刷电路板上。

大功率HIC组装封装工艺研究

简要叙述了大功率混合集成电路(HC)组装、封装过程出现的工艺技术问题及解决途径。通过制造厚膜电阻基片,背面金属化、锡焊、粗线压焊、管壳结构设计、封装等方面的研究和实验,研制出了十余种大功率混合集成电路,满足了型号任务的需要。