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AlN基片的薄膜金属化
被引量:
7
1
作者
高能武
陆吟泉
+1 位作者
秦跃利
吴云海
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第5期22-23,共2页
讨论了AlN基片的薄膜金属化。通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明,TiW-Au 是AlN的优良金属化体系。AlN材料经激光划片后出现导电物质,
关键词
AlN基片
薄膜
金属化
混合集成电路
下载PDF
职称材料
题名
AlN基片的薄膜金属化
被引量:
7
1
作者
高能武
陆吟泉
秦跃利
吴云海
机构
西南电子设备研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第5期22-23,共2页
文摘
讨论了AlN基片的薄膜金属化。通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明,TiW-Au 是AlN的优良金属化体系。AlN材料经激光划片后出现导电物质,
关键词
AlN基片
薄膜
金属化
混合集成电路
Keywords
AIN
thin film
matallization
分类号
TN451.06 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN基片的薄膜金属化
高能武
陆吟泉
秦跃利
吴云海
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999
7
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