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集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究 被引量：1
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作者 何涛 吴廉亿 雷祖圣 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期39-44,共6页
本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。
关键词 集成电路 铝条 金属化 电迁移 失效
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