期刊文献+
共找到16篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
VLSI低温玻璃封帽技术研究 被引量:1
1
作者 薛成山 裴志华 《微电子技术》 1996年第5期30-33,29,共5页
关键词 VLSI 低温玻璃 封装 封帽
下载PDF
MCM的应用前景 被引量:2
2
作者 王毅 《微电子技术》 1997年第1期19-31,共13页
扼要介绍MCM的突出优点和市场潜力,以在航天、计算机、通信、汽车电子系统等领域的应用实例,展示MCM的广阔应用前景,进而证明其巨大的市场规模。
关键词 多芯片组件 MCM 微电子封装技术 VLSI
下载PDF
球栅阵列——更适合多端子LSI的表面安装式封装
3
作者 田民波 冯晓东 《半导体情报》 1997年第6期62-63,共2页
塑封球栅阵列(BGA)是一种新型表面安装多端子型LSI封装。与塑封四方扁平封装(QFP)相比,前者外形更小,设备与操作较为简单,可靠性也有所提高。BGA替代QFP的尝试从美国开始。
关键词 球栅阵列 封装 带载封装 LSI
下载PDF
VLSI高密度封装的热性能研究
4
作者 朱德忠 范文汇 《半导体情报》 1992年第5期17-21,25,共6页
本文提出了用热试验塑封功率管作加热和测温元件的热阻测试方法。通过对标准不锈钢样片的实验测试和理论计算,验证了该测试方法的可靠性。实验测试了五种高密度陶瓷封装在不同功耗、不同测试面积等各种情况下的稳态和瞬态热阻,并进行了... 本文提出了用热试验塑封功率管作加热和测温元件的热阻测试方法。通过对标准不锈钢样片的实验测试和理论计算,验证了该测试方法的可靠性。实验测试了五种高密度陶瓷封装在不同功耗、不同测试面积等各种情况下的稳态和瞬态热阻,并进行了具体的分析、比较和讨论。通过计算机数值模拟,结合实验给出的结论,提出了实用可靠的简便热阻计算方法。同时用TVS-5500红外热像仪对几种高密度封装的主散热面进行了热测试和热分析,并对其动态特性进行了研究。 展开更多
关键词 陶瓷封装 热试验 集成电路 VLSI
下载PDF
LSI高密度封装技术 被引量:2
5
作者 高尚通 《LSI制造与测试》 1989年第1期27-33,共7页
关键词 LSI 高密度 封装 集成电路
下载PDF
VLSI高密度封装技术概览 被引量:2
6
作者 孟庆林 《半导体情报》 1990年第6期1-8,共8页
该文简介了VLSI高密度封装技术现状。重点介绍了高密度封装形式及应用前景。
关键词 VLSI 高密度 封装技术
下载PDF
陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合) 被引量:1
7
作者 郭大琪 《微电子技术》 1996年第5期17-21,16,共6页
关键词 陶瓷外壳封装 封装 VLSI 引线技术
下载PDF
三维高密度组装技术 被引量:1
8
作者 万恒 《世界电子元器件》 2000年第7期72-75,共4页
作为LSI电路组装技术,采用立体组装方法大体是可分为3种:(1)圆片级三绯组装方法;(2)芯片级三维组装方法;(3)封装级三维组装方法。它们各有特点,难易程度不同。
关键词 高密度组装 LSI 集成电路
下载PDF
VLSI气密封帽成品率统计分析
9
作者 肖汉武 《微电子技术》 1996年第5期34-36,共3页
关键词 VLSI 封帽 气密封帽 封装 成品率
下载PDF
VLSI低温合金焊料气密封帽技术
10
作者 肖汉武 《微电子技术》 1996年第5期26-29,共4页
关键词 VLSI 低温合金 焊料 气密封帽 封装
下载PDF
VLSI平行缝焊工艺技术
11
作者 丁荣峥 《微电子技术》 1996年第5期22-25,共4页
关键词 VLSI 平行缝焊工艺 封装 封帽
下载PDF
LSI微小型封装及其高密度安装技术
12
作者 楼枚 《上海半导体》 1991年第2期38-45,共8页
关键词 大规模 集成电路 封装 LSI
下载PDF
VLSI管壳的发展
13
作者 Bart.,CJ 陈淳 《江南半导体通讯》 1991年第5期42-47,共6页
关键词 VLSI 集成电路 管壳 封装
下载PDF
LSI高密度封装的类型
14
作者 高尚通 《半导体情报》 1990年第6期9-19,共11页
随着LSI和VLSI的飞速发展,LSI高密度封装技术变得越来越重要。本文叙述了高密度封装的类型,介绍了它们的一般结构,并提供了封装的外形标准。
关键词 LSI 高密度 封装 类型
下载PDF
适用于VLSI封装的用Ag-Pd布线的低介电常数多层玻璃—陶瓷基板
15
作者 Y. Shimada 孙瑞花 《半导体情报》 1990年第6期59-67,58,共10页
VLSI封装不断发展,要求新的封装技术以满足多芯片安装基板对高传输速度和高密度布线的要求。微电子封装基板的重要参数是介电常数和导体的电阻率。目前,具有低介电常数并能在空气中大约900℃烧成的新型玻璃-陶瓷材料已研制成功。通过控... VLSI封装不断发展,要求新的封装技术以满足多芯片安装基板对高传输速度和高密度布线的要求。微电子封装基板的重要参数是介电常数和导体的电阻率。目前,具有低介电常数并能在空气中大约900℃烧成的新型玻璃-陶瓷材料已研制成功。通过控制Ag-Pd颗粒形状,导体线条可达到非常低的电阻率。对封装基板来说,电设计是需要考虑的一个重要问题。脉冲传输特性受接地面种类和所用布线面的影响极大。因此,对各种多层结构需要测量其基本的脉冲传输特性,如传播延迟、特性阻抗和串扰耦合噪声。随之,便确定了能精确控制基板特性的新工艺。新型多层玻璃-陶瓷基板性能归纳如下: 1)因介电常数低(ε≈3.9),新型MGC基板具有小的传播延迟; 2)由于使用Ag-Pd导体系统,其电阻率低(<4μΩ·cm),而且价格便宜; 3)通过改进电设计,达到了对特性阻抗和串扰耦合噪声的控制; 4)业已研究出要求采用先进新材料的高精度制造工艺。因此,用Ag-Pd布线的低介电常数MGC基板在大规模计算机系统中可用作VLSI多芯片封装基板。 展开更多
关键词 VLSI 封装 多层玻璃 陶瓷基板
下载PDF
o.3mm中心距LSI封装的开发动向
16
作者 藤津隆夫 辛永库 《江南半导体通讯》 1991年第5期104-108,共5页
关键词 集成电路 LSI 封装
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部