亚微米ULSI无鸟喙封闭界面局部氧化技术

研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合结构的生产中;这种掩蔽结构,对垂直封闭以及在硅选择氧化期间通过掩模夹层边缘封闭氧化剂十分有效。为了在芯片制造过程中形成完全平坦的图形,生长了全开槽和半开槽的场氧化物。本文报道了一种适用于ULSI的无鸟喙LOCOS工艺。

无鸟嘴器件隔离新技术

在场区而不是在有源器件区生长一层选择外延层,并将其完全转变成热二氧化硅膜,以形成场氧化膜。采用这种新技术可以形成无鸟嘴器件。该技术被称之为选择性外延层场氧化(SELFOX),具有若干极其出色的性能:1.均匀的场氧化膜(1000nm厚),该场氧化膜与场区范围无关,场区范围可以从1微米到数百微米。2.即使生长1微米厚的场氧化膜,也不存在鸟嘴侵入。3.在有源器件区无小到1微米的位错。该新技术产生的反向漏电流与LOCOS结构产生的反向漏电流差不多,但比SWAMI类结构的低。