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C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
1
作者
金鑫
李伟
+3 位作者
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期715-718,723,共5页
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si...
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。
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关键词
PECVD
氢化非晶硅薄膜
P—C复合掺杂
微结构
暗电导率
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职称材料
题名
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
1
作者
金鑫
李伟
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
机构
电子科技大学光电信息学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期715-718,723,共5页
文摘
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。
关键词
PECVD
氢化非晶硅薄膜
P—C复合掺杂
微结构
暗电导率
Keywords
PECVD
a-Si : H thin film
P-C compo-doping
microstructure
dark conductivity
分类号
TN484.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
金鑫
李伟
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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