SOI定向耦合器研制

本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．

光纤耦合器的制造设备

本文介绍光纤耦合器的制造设备。该设备采用光纤熔融拉锥工艺，在预设了工艺参数和分光比后，能自动完成耦合器的生产过程。制成的Ｘ型单模光纤耦合器的附加损耗小于０．２ｄＢ，分光比误差小于２％，成品率９０％。

保偏光纤耦合器

本文介绍了保偏光纤耦合器的国内外概况、制造方法及影响保偏光纤耦合器性能的因素。

宽频带光纤耦合器的原理及其制备

对２×２宽带光纤耦合器进行了理论分析，并介绍了熔锥型宽带光纤耦合器的制备及其性能测试。

单模光纤宽带耦合器的研制

本文报导首次研制成功的一种可以在整个长波长光波段(1.25μm～1.6μm)中保持其耦合比特性的宽带耦合器。该耦合器的耦合比变化在上述整个波段中可小小于±5％,其插入损耗可小于0.2dB,外形尺寸为5×5×56mm。