集成CMOS行波放大器的设计和仿真

采用有耗片内螺旋电感和 0 .1 8μm CMOS工艺对集成行波放大器进行了设计 ,其仿真增益在 1 4GHz的频带内大于 1 5 d B.仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响 ,该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用 .

电荷放大器可靠性分析

介绍了电荷放大器在存储测试系统中的作用,详细说明了电荷放大器工作原理,推导出电荷量与输出电压之间的关系。通过故障树的方法对电荷放大器的可靠性进行分析,得出电荷放大器的MTBF和可靠性曲线,定量计算出电阻、电容、焊点和芯片在一个完整的存储测试电路中的失效率,定性的分析出不同部分对整体系统失效率的影响度。

回旋行波放大器中的电子束群聚与增益

给出了描述回旋行波放大器中辐射场演化的方程组 ,对电子束的群聚做了详细的理论分析 ,推导出了辐射场小信号增益的解析表达式 ,并得到两点结论 :在小信号区 ,力群聚作用可超过惯性群聚作用而产生负增益 ;在一定条件下 ,轴向群聚和角向群聚这两种作用可以相互增强。

行波管放大器相位噪声的分析及其抑制

主要分析规则调相信号对行波管放大器频谱纯度的影响,并且根据行波管放大器相位噪声产生的过程和原因,提出两种抑制相位噪声的方法。

国外空间行波管放大器现状与发展

文章简要介绍了空间行波管放大器的发展历史及特点,详细综述了当前国外空间行波管放大器的产品状况和研发进展,展望了空间行波管放大器的未来发展趋势。

行波管放大器输出热驻波比测试方法

文章针对行波管放大器的输出热驻波比测试项目进行研究。通过研究该项目测试原理,提出一种能够简便实现该项目测试的方法,并依据此方法设计了硬件测试系统。为了验证该测试系统的正确性,使用该测试系统对THALES公司的Ku频段150W行波管放大器进行测试,通过比较实际测试结果与THALES公司提供的数据包,测试结果完全一致,证明该方法能够实现对行波管放大器输出热驻波比项目测试。

可调空间行波管放大器发展综述

文章简要介绍了可调空间行波管放大器的特点及应用需求,详细介绍了国外可调行波管放大器的发展历程和技术状况,描述了实现可调行波管放大器的技术方法,展望了空间行波管放大器向功率和频率双可调方向的发展趋势。

倍频谐波回旋行波放大器的研究

通过研究倍频谐波回旋行波放大器中电子束在调制区和漂移区中的群聚与在辐射区中的辐射，给出了器件各部分的最佳参数；同时在均匀波导管和引导场的情况下，运用低速率比的电子束获得了宽带输出。当电子束的电压为１３０ｋＶ、电流为２０Ａ、速率比为０．８以及纵向速度散度为１％时，模拟得到器件的饱和带宽至少可达到１０％，峰值功率和增益分别为２９０ｋＷ和５０ｄＢ，常数驱动带宽约9%。

一个适用于MESFET行波放大器的综合设计软件

本文介绍了一个适用于MESFET行波放大器(尤其是单片电路)的自动综合设计软件。该软件包括综合,模拟,优化三大模块。利用该软件,用户只需给出设计指标,便可获得行波放大器的级数,有源器件参数、栅、漏线参数值;并通过对放大器精确模拟和进一步优化,给出各项电路性能,软件应用一种组合优化算法——模拟退火法及多种灵活的优化策略。通过在可行域内随机寻查和统计选择,可实现电路最佳设计。

中功率行波管工作电源的设计

介绍了电子干扰发射机中行波管电源的设计

一种基于厚膜工艺的浮动栅极调制器

针对弹载脉冲行波管放大器的应用需求,设计了一款浮动栅极调制器。利用TTL门电路实现脉冲前后沿分离,方便脉冲变压器传输;基于单稳态触发原理搭建脉冲恢复电路,以减小调制器的开关损耗;采用厚膜电路工艺,实现浮动调制器高可靠的小型化集成。该浮动调制器尺寸仅为25 mm×20 mm×10 mm。

固态功率放大器和行波管放大器的可靠性

两项大范围的通信卫星可靠性研究于1991年和1993年实施。这些研究使热离子电子器件(TWT/TWTA)与固态器件(GaAs MESFET/SSPA)之间能在C波段作直接的“轨道上”对比。两种微波功率放大器都获得优良的性能、寿命和可靠度。然而,出乎意料,两项研究都记录到SSPA比TWTA高的失效率。

S波段中功率栅控行波管放大器

介绍了Ｓ波段中功率栅控行波管放大器的技术特征和实现方法，对全固态栅控调制器电路进行了分析，同时还说明了在设计该放大器过程中必须严格注意的保护电路设计等问题。文章给出已经实现并经长期试验稳定可靠的该放大器的数据和波形，并对该种体制放大器的相位噪声进行了分析研究，使得放大器设计更趋完善。

双束回旋行波放大器的研究

提出了运用双束电子束增加回旋行波放大器带宽的新想法，建立了模型并对其做了理论分析和数值模拟．研究表明：该模型不仅可产生宽的输出带宽和高的输出功率，且与已有宽带模型相比，增益要高得多．当两束电子束的电流均为１０ Ａ，电压分别为９０ 和１５３ ｋＶ，速率比分别为１０ 和０６２ ，纵向动量散度分别为５５ ％ 和１２ ％ 时，器件输出的饱和带宽至少可达到２２ ％ ，峰值功率和指数增益分别为３９５ ｋ Ｗ 和６２ ｄＢ，效率为１６ ％ ；如果在相互作用区的末段对引导磁场进行弱的锥化，可以得到约２３ ％ 的常量驱动带宽，输出功率仍有２８０ ｋ