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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究
被引量:
6
1
作者
袁剑峰
闫东航
许武
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第3期168-173,共6页
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场...
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。
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关键词
有机薄膜晶体管
阈值电压漂移
栅绝缘膜陷阱
C-V特性
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职称材料
题名
有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究
被引量:
6
1
作者
袁剑峰
闫东航
许武
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第3期168-173,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.90301008
No.20025413)
文摘
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。
关键词
有机薄膜晶体管
阈值电压漂移
栅绝缘膜陷阱
C-V特性
Keywords
organic thin film transistor (OTFTs)
threshold voltage shift
gate insulator traps
C-V characteristics
分类号
TN7321.5 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究
袁剑峰
闫东航
许武
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
6
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职称材料
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