SOI/SDBCOMS环形振荡器的研究

本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见。

LC振荡器短时间频率稳定度测试方法

本文较详细的探讨了一种ＬＣ振荡器的短时间频率稳定度的测试方法、测试原理及电路组成，产以测试２００μｓ时的频率稳定度为例进行了分析，能达到１０￣（＿６）级的测试精度要求。

振荡器的高可靠性研究

1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试验测量结果,并对其可靠性进行了评价分析。2 振荡器简介高Q介质谐振振荡器是产生固定频率的理想振荡器。在1—5GHz频段通常使用双极晶体管做为振荡器的有源器件,而在4—18GHz频段一般使用GaAsFET作为振荡器的有源器件。

振荡器噪声的测量

振荡器噪声 振荡器噪声可分为幅度噪声和相位噪声,如图1反馈振荡器所示。这里虽然是采用反馈振荡器来说明问题,实际上一个负阻振荡器也能说明同样的问题。在此处所示的反馈振荡器中,由求和节将输入扰动加至增益级G的输入端。增益级的输出V_(out),经选频方框H反馈至求和节的输入端。总的传递函数为: G_(total)=V_(out)/V_(in)=G/(1—GH) (1) 当(1—GH)恒等于零时。