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题名高热导率陶瓷材料的进展
被引量:28
- 1
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作者
高陇桥
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机构
北京真空电子技术研究所
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出处
《真空电子技术》
2003年第2期49-53,共5页
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文摘
叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用 ,主要包括BeO ,BN ,AlN等三种陶瓷材料。特别介绍了AlN陶瓷的发展前景及其最新应用。
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关键词
氮化硼
氮化铝
高热导率
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Keywords
Boron nitride
Aluminum nitride
High thermal conductivity
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分类号
TN756
[电子电信—电路与系统]
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题名99Al_2O_3陶瓷的烧成工艺
被引量:1
- 2
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作者
鲁燕萍
张云鹤
孙爱民
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机构
北京真空电子技术研究所
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出处
《真空电子技术》
2004年第4期35-37,共3页
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文摘
以两种结构的99Al2O3陶瓷的烧成为例,研究了烧成工艺对烧成结果的影响,分析了99Al2O3陶瓷烧成时开裂的原因,并提出了有效的解决方案。
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关键词
99Al2O3
开裂
烧成工艺
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分类号
TN756
[电子电信—电路与系统]
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题名氮化铝制品的新进展
被引量:5
- 3
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作者
高陇桥
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机构
北京真空电子技术研究所
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出处
《真空电子技术》
2007年第2期23-26,共4页
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文摘
综述了AlN制品的某些新进展,包括其原料和处理、填料和坩埚、陶瓷金属化和共烧技术以及作为微波衰减材料等,强调了AlN制品的应用前景。
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关键词
填料
坩埚
金属化和共烧技术
衰减材料
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Keywords
Filling
Cruciole
Metallization and co-fire
Lossy material
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分类号
TN756
[电子电信—电路与系统]
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题名俄罗斯陶瓷及其金属化技术的研究
被引量:1
- 4
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作者
何晓梅
王卫杰
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机构
北京真空电子技术研究所
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出处
《真空电子技术》
2002年第3期39-42,共4页
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文摘
采用X射线荧光、X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等分析方法 ,通过对微波管陶瓷材料的理化分析 ,对俄罗斯陶瓷及其金属化技术进行了研究 ,并对化学成分和显微结构对性能的影响作了初步的讨论。
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关键词
陶瓷
金属化
化学成分
显微结构
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Keywords
Ceramics
Metallizing
Chemical composition
Microstructure
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分类号
TN756
[电子电信—电路与系统]
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题名热等静压设备结构特点及应用工艺
被引量:14
- 5
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作者
张远骏
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机构
重庆利特高新技术有限公司
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出处
《真空电子技术》
2002年第3期43-45,共3页
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文摘
简要介绍热等静压设备的工艺路径。
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关键词
热等静压
包套
结构特点
应用工艺
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Keywords
Hot Isostatic pressing
Encapsulation
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分类号
TN756
[电子电信—电路与系统]
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