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一种超高速触发器工艺技术的研究
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作者 孙微风 俞慧强 +1 位作者 熊杰 蒋宗树 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期243-246,共4页
在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D... 在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D触发器,在功耗电流只有30mA情况下,工作频率典型值为850MHz,最高可达900MHz以上,较好地解决了器件速度与功耗的矛盾。 展开更多
关键词 集成电路 ECL D触发器 双极工艺
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