多晶硅太阳电池PECVD氮化硅钝化工艺的研究

介绍等离子体化学气相淀积(PECVD)制备减反射钝化膜。将PECVD设备运用于太阳电池生产线上,发现通过PECVD设备可以对多晶硅太阳电池有很好的钝化效果。分析PECVD对多晶硅太阳电池钝化机理。

双段式加热锗单晶生长设备的结构设计

锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等。

太阳能电池用高温烧结炉传动系统的设计计算

介绍了太阳能电池生产线用高温烧结的特点、传动原理,提出了网带驱动力及其传递功率的理论计算方法,利用该方法进行设计计算,可在保证传动可靠的前提下,选择最合适的电机、减速机,减少安装位置,节约设备制造成本。作者根据计算结果应用到实际的生产中,较好的指导了生产。

TDR系列晶体生长设备速度跑合系统

主要介绍一种TDR系列晶体生长设备速度跑合系统装置的开发目的、设计参数、装置结构以及技术特点。本装置为提高工程施工安装质量和全面落实企业产品按时,质量合格出厂的要求,提供了一种安全、可行的检测和跑合调试手段,以满足企业和市场的需要。

晶体硅太阳能电池PECVD SiNx:H薄膜工艺研究

通过在工业化生产线上研究了PECVD法沉积Si Nx:H薄膜过程中工艺温度和气体流量对其厚度和折射率的影响、工艺气体流量和射频功率对晶体硅太阳能电池光电转换效率、开路电压以及短路电流的影响,最后研究了PECVD对不同类型晶体硅电池的钝化效果。结果表明,随着气体Si H4流量增加,Si Nx:H膜的厚度和折射率上升;随着温度上升,Si Nx:H膜的厚度先上升后下降,折射率无明显变化规律;对于多晶硅太阳能电池,工艺气体NH3与Si H4流量比为11时,光电转换效率最高,随着射频功率从2800W增至4200W,光电转换效率先上升后下降,3700W时达到峰值;Direct Plasma PECVD对多晶硅太阳能电池的钝化效果好于对单晶硅太阳能电池。