SiC SBD基温度传感器灵敏度影响因素的研究

SiC基温度传感器由于可以实现比Si基温度传感器高得多的工作温度而备受重视。从理论和实验两方面研究影响SiC SBD基温度传感器灵敏度的因素。基于热电子发射理论的解析模型表明影响温度传感器灵敏度的因素主要是理想因子。采用Spice仿真不同偏置电流下SiC SBD的V-T关系,结果表明灵敏度随着正向电流的减小而增大并且线性度良好。采用10 mA的恒流源偏置电路测试了三个厂商的SiC SBD的V-T特性,结果发现三种SiC SBD测温上限均高于400℃,并且线性度较好,灵敏度均接近1.5 m V/℃。最后对提高SiC SBD基温度传感器的灵敏度提出了优化设计方案。