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TiO_2材料的半导化机理探讨 被引量：6
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作者 曲宝涵 马传利 杨爱萍 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期99-101,共3页
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材... 研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使TiO2材料半导化． 展开更多
关键词 二氧化钛 高温试验 导电材料 表面掺杂 半导化
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