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铁电存储器技术及应用浮出水面
1
作者
康晋锋
《世界产品与技术》
2001年第3期12-13,共2页
铁电存储器是一类利用铁电材料的铁电特性进行信息存储的新型非挥发性(非易失性)半导体存储器。与传统的非挥发性存储器如E^2PROM等相比,其具有读写速度快、使用寿命长、抗辐射、抗干扰等一系列的优点。由于其制备工艺与半导体硅工艺兼容,
关键词
铁电存储器
信息存储
制备工艺
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职称材料
0.50μm步进光刻机关键技术设计
被引量:
2
2
作者
田陆屏
《电子工业专用设备》
1999年第2期5-9,共5页
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就05μm分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研...
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就05μm分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研究。还对系统的套刻精度进行了分析和测算。
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关键词
步进光刻机
套刻精度
设计
存储器
DRAM
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职称材料
通信在扩充计算机存贮容量方面的应用
3
作者
汪洋
《微型电脑应用》
1990年第2期55-58,共4页
关键词
通信
计算机
存贮容量
扩充
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职称材料
又给业界一个惊奇——Intel公司0.25μm闪速存储器生产线投产
4
作者
王莹
《电子产品世界》
1998年第4期70-70,共1页
许多人都知道Intel的CPU在全球独占鳌头,但并不知道Intel在闪速存储器方面也是世界第一,其产量占全球的三分之一,即每三个闪速存储器芯片中就有一个是Intel的。去年年底,该公司推出了在同等体积里存储容量翻一番...
许多人都知道Intel的CPU在全球独占鳌头,但并不知道Intel在闪速存储器方面也是世界第一,其产量占全球的三分之一,即每三个闪速存储器芯片中就有一个是Intel的。去年年底,该公司推出了在同等体积里存储容量翻一番的StrataFlash系列闪速存...
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关键词
闪速存储器
制造技术
存储器
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职称材料
64M DRAM耐回流焊模封树脂技术的开发
5
作者
郝福申
《计算机与信息处理标准化》
1997年第4期49-51,共3页
表面组装型LSI在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着LSI高集成度以及半导体芯片面积相应增大,它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高64M DRAM的模封树脂时,为了降低上述应力,以往采...
表面组装型LSI在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着LSI高集成度以及半导体芯片面积相应增大,它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高64M DRAM的模封树脂时,为了降低上述应力,以往采取的两种方法:一是增强紧密性接触;二是降低吸湿性。然而运用这些方法又担心产生以下两个新的问题,一是在高温贮存条件下可能降低产品性能;第二可能降低成形性能。
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关键词
耐回流焊
模封树脂
DRAM
存储器
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职称材料
大容量硬盘的安装与使用技巧
6
作者
谢忠
《电子制作》
1997年第1期30-30,共1页
大容量硬盘通常是指容量大于528M的硬盘,目前市场上常见的品牌有SEAGATE、QUANTAM、CONNER、MAXTOR、FUJISTU、IBM等,容量包括63OM、840M、1.OG、1. 2G、1.6G、2.1G等,接口有SCSI、EIDE等,特别是EIDE接口的产品性能价格比高,十分适合家...
大容量硬盘通常是指容量大于528M的硬盘,目前市场上常见的品牌有SEAGATE、QUANTAM、CONNER、MAXTOR、FUJISTU、IBM等,容量包括63OM、840M、1.OG、1. 2G、1.6G、2.1G等,接口有SCSI、EIDE等,特别是EIDE接口的产品性能价格比高,十分适合家庭用户选用,但它们与一般硬盘相比,在安装和使用时有一些特别需要注意的地方,这里我们就EIDE接口大容量硬盘的安装和使用中属于共性的问题作一个探讨。一、安装 EIDE硬盘在安装时有两种方法:
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关键词
硬盘
存贮器
安装
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职称材料
日本DRAM制造商加速转向64Mb存储块的生产
7
《计算机信息》
1997年第2期19-20,共2页
关键词
存储器
日本
制造商
计算机工业
原文传递
题名
铁电存储器技术及应用浮出水面
1
作者
康晋锋
机构
北京大学微电子所
出处
《世界产品与技术》
2001年第3期12-13,共2页
文摘
铁电存储器是一类利用铁电材料的铁电特性进行信息存储的新型非挥发性(非易失性)半导体存储器。与传统的非挥发性存储器如E^2PROM等相比,其具有读写速度快、使用寿命长、抗辐射、抗干扰等一系列的优点。由于其制备工艺与半导体硅工艺兼容,
关键词
铁电存储器
信息存储
制备工艺
分类号
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
0.50μm步进光刻机关键技术设计
被引量:
2
2
作者
田陆屏
机构
信息产业部电子第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
1999年第2期5-9,共5页
文摘
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就05μm分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研究。还对系统的套刻精度进行了分析和测算。
关键词
步进光刻机
套刻精度
设计
存储器
DRAM
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
通信在扩充计算机存贮容量方面的应用
3
作者
汪洋
出处
《微型电脑应用》
1990年第2期55-58,共4页
关键词
通信
计算机
存贮容量
扩充
分类号
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
又给业界一个惊奇——Intel公司0.25μm闪速存储器生产线投产
4
作者
王莹
出处
《电子产品世界》
1998年第4期70-70,共1页
文摘
许多人都知道Intel的CPU在全球独占鳌头,但并不知道Intel在闪速存储器方面也是世界第一,其产量占全球的三分之一,即每三个闪速存储器芯片中就有一个是Intel的。去年年底,该公司推出了在同等体积里存储容量翻一番的StrataFlash系列闪速存...
关键词
闪速存储器
制造技术
存储器
分类号
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
64M DRAM耐回流焊模封树脂技术的开发
5
作者
郝福申
出处
《计算机与信息处理标准化》
1997年第4期49-51,共3页
文摘
表面组装型LSI在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着LSI高集成度以及半导体芯片面积相应增大,它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高64M DRAM的模封树脂时,为了降低上述应力,以往采取的两种方法:一是增强紧密性接触;二是降低吸湿性。然而运用这些方法又担心产生以下两个新的问题,一是在高温贮存条件下可能降低产品性能;第二可能降低成形性能。
关键词
耐回流焊
模封树脂
DRAM
存储器
分类号
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
大容量硬盘的安装与使用技巧
6
作者
谢忠
出处
《电子制作》
1997年第1期30-30,共1页
文摘
大容量硬盘通常是指容量大于528M的硬盘,目前市场上常见的品牌有SEAGATE、QUANTAM、CONNER、MAXTOR、FUJISTU、IBM等,容量包括63OM、840M、1.OG、1. 2G、1.6G、2.1G等,接口有SCSI、EIDE等,特别是EIDE接口的产品性能价格比高,十分适合家庭用户选用,但它们与一般硬盘相比,在安装和使用时有一些特别需要注意的地方,这里我们就EIDE接口大容量硬盘的安装和使用中属于共性的问题作一个探讨。一、安装 EIDE硬盘在安装时有两种方法:
关键词
硬盘
存贮器
安装
分类号
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
日本DRAM制造商加速转向64Mb存储块的生产
7
出处
《计算机信息》
1997年第2期19-20,共2页
关键词
存储器
日本
制造商
计算机工业
分类号
F431.366 [经济管理—产业经济]
TP333.05 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铁电存储器技术及应用浮出水面
康晋锋
《世界产品与技术》
2001
0
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职称材料
2
0.50μm步进光刻机关键技术设计
田陆屏
《电子工业专用设备》
1999
2
下载PDF
职称材料
3
通信在扩充计算机存贮容量方面的应用
汪洋
《微型电脑应用》
1990
0
下载PDF
职称材料
4
又给业界一个惊奇——Intel公司0.25μm闪速存储器生产线投产
王莹
《电子产品世界》
1998
0
下载PDF
职称材料
5
64M DRAM耐回流焊模封树脂技术的开发
郝福申
《计算机与信息处理标准化》
1997
0
下载PDF
职称材料
6
大容量硬盘的安装与使用技巧
谢忠
《电子制作》
1997
0
下载PDF
职称材料
7
日本DRAM制造商加速转向64Mb存储块的生产
《计算机信息》
1997
0
原文传递
已选择
0
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