MCS51系列单片机与内存条(DRAM)的接口

在分析DRAM特性及其操作时序和MCS51系列单片机总线时序基础上，用具体电路讨论了MCS51系列单片机与DRAM内存条接口原理及方法。利用这种方法实现简单可靠，可使单片机系统拥有大容量的数据存储空间。

MCS—51单片机系统中动态RAM的刷新技巧

MCS—51单片机应用系统中,有时需要大容量的RAM存贮器,如果仍采用静态RAM,将大大增加成本,以至影响应用系统的生命力;并且大容量的静态RAM在国内市场也难于购买。

80386DRAM存贮体的设计

一、前言80386 32位微处理器可与静态 RAM(SRAM)、动态 RAM(DRAM)和高速缓冲存贮系统进行接口。由于 DRAM 存贮器在访问和周期刷新之间需要预充时间,所以 DRAM 存贮器的数据传送速度往往要低于 SRAM 存贮器。然而 DRAM 存贮器具有以低价格构成大容量存贮系统的特点,因而得到了广泛的应用。

单片微机系统RAM自检的研究

在各种单片微机测控系统中，RAM的正常与否直接关系到该系统的正常工作，RAM的自检可有效地避免RAM不正常工作给系统带来的损害。本文讨论了单片微机应用系统中RAM自检的方法。

一个实用的公用RAM板的设计

本文简要介绍了一块用于多单片机之间数据传输的公用RAM板。结构简单,便于推广应用。

单片机系统中RAM的数据保护

本文介绍一种单片机系统断电时其 RAM 中数据的保护电路。当电源电压低于所给出的设定值(4.75V)时,该保护电路快速封锁 RAM 的片选及写信号,避免了出现误操作,若电源电压降低到3V 以下,备用锂电池将自动接入以保护 RAM 中的数据。待电源电压恢复正常后,该电路提供给单片机一复位信号,并在初始化以后恢复 RAM 的读写操作。由于采用了 Intersil 公司的 ICL8212作为电压监测传感器以及其它 HCMOS 门电路,使这种保护电路响应速度快且功耗低,具有良好的工作性能。

单片机模糊控制器的软件设计

介绍了用单片机语言进行模糊控制器软件设计的数据结构及其算法，并给出了程序流程．

大容量FLASH MEMORY芯片28F032SA及其在心电记录中的应用

介绍INTEL公司32-MbitFLASHMEMORY芯片28F032SA的性能及其用法;给出了28F032SA与80C198单片机的一种接口电路及PL/M-96语言编程示例。

GW0520CH自检RAM到3KB死机检修一例

我们在维修长城0520CH机时,遇到几台都是上电自检到3KB时死机的现象,此时测量CPU的CLK、READY,以及AD_0—AD_7,A_8—A_(19)正常,但8088的(?)_2(?)_1(?)_0=111,即总线周期过渡状态。其原因是决定RAM芯片4164行列地址选通允许的延时芯片DL—1输出幅度不够造成的。

一种全新的多功能电话服务器

文章介绍了一种全新的多功能电话服务器，该产品的设计目的是保持现有用户电话的已有功能。通过附加一个多功能电话服务器，使原有电话的功能大大扩展，成为具有智能化的多功能电话终端。