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烟气脱硫技术研究进展 被引量:15
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作者 王海波 钟宏 +1 位作者 王帅 李昌新 《应用化工》 CAS CSCD 2013年第10期1899-1902,1909,共5页
烟气脱硫技术是控制二氧化硫污染主要技术和手段。烟气脱硫技术在国内外得到飞速发展及应用,但是仍然存在脱硫率低、工艺复杂、投资及运行费用高、脱硫副产物处理困难等一系列问题,针对这些问题介绍了国内外新研究的烟气脱硫技术,并指... 烟气脱硫技术是控制二氧化硫污染主要技术和手段。烟气脱硫技术在国内外得到飞速发展及应用,但是仍然存在脱硫率低、工艺复杂、投资及运行费用高、脱硫副产物处理困难等一系列问题,针对这些问题介绍了国内外新研究的烟气脱硫技术,并指出了烟气脱硫技术今后改进和发展方向,以期达到最优的经济效果、环保效果、社会效果。 展开更多
关键词 烟气脱硫 二氧化硫 进展
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a-C基底WS_x薄膜的制备及其摩擦学性能 被引量:1
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作者 杨芳儿 李昂 +1 位作者 沈靖枫 郑晓华 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2017年第4期381-386,共6页
采用磁控溅射技术在200℃单晶硅片上沉积a-C薄膜,随后在不同溅射气压下沉积WSx薄膜.通过扫描电镜、能谱仪、XRD和XPS等分析了薄膜的形貌、成分与微观结构;采用纳米压痕仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机测试了薄膜的力学与摩... 采用磁控溅射技术在200℃单晶硅片上沉积a-C薄膜,随后在不同溅射气压下沉积WSx薄膜.通过扫描电镜、能谱仪、XRD和XPS等分析了薄膜的形貌、成分与微观结构;采用纳米压痕仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机测试了薄膜的力学与摩擦磨损性能.结果表明:a-C基底上沉积的WSx薄膜表面平整、结构致密且随着气压升高而变得疏松,膜中WS2呈微晶或非晶结构;随着溅射气压升高,薄膜的S与W原子数比先增大后减小并趋于稳定;薄膜硬度逐渐降低,大气中的摩擦因数与磨损率均先减小后略微增大.0.8~1.0Pa条件下制备的WSx薄膜摩擦系数最低(约0.11),磨损率最低为4.34×10-15 m^3/(N·m),性能显著优于Si基底和钢基底上的WSx薄膜. 展开更多
关键词 二硫化钨 A-C 摩擦与磨损 磁控溅射
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