一种二硅化钼发热元件烘干炉

专利申请号:CN201920549468.4公开号:CN210036077U申请日:2019.04.22公开日:2020.02.07申请人:郑州嵩山电热元件有限公司本实用新型公开了一种二硅化钼发热元件烘干炉,包括烘干箱和位于所述烘干箱一侧的电加热箱,所述烘干箱顶部的进风口通过进风管道与所述电加热箱的出风口相连通;所述烘干箱的出风口经排湿风机通过排风管道与所述电加热箱的进风口相连通;在所述电加热箱内设有若干个用于加热的硅碳棒,所述碳硅棒之间采用星形连接法;在所述烘干箱的两侧分别设有布风装置,所述布风装置分别位于所述烘干箱进风口和出风口的内侧,在两个所述布风装置之间位置处设有推车。

一种酸性溶液中钼铼选择性浮选分步分离的方法

专利申请号:CN201911081882.8公开号:CN110760702A申请日:2019.11.07公开日:2020.02.07申请人:郑州大学本发明公开了一种酸性溶液中钼铼选择性浮选分步分离的方法,该方法是向含有钼、铼酸酸根的酸性溶液中,依次加入pH调节剂、铼酸根沉淀剂、颗粒稳定剂,得到含铼颗粒悬浮液,再加入表面活性剂,通入气泡进行浮选分离铼组分;再向残余溶液中加入pH调节剂、钼酸根沉淀剂、颗粒稳定剂,得到含钼颗粒悬浮液,再次加入表面活性剂,通入气泡进行浮选分离钼组分。

具有空心结构二硫化锡钼的制备方法

专利申请号:CN201910954811.8公开号:CN110697777A申请日:2019.10.09公开日:2020.01.17申请人:西北工业大学;南京工业大学本发明公开了一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法。以Sn掺杂的MoO3纳米带、SnS2纳米片与硫脲按一定比例混合,以水为溶剂,加入以25 mL掺杂对位聚苯酚的聚四氟乙烯内胆的水热釜中;加热数十小时,反应结束后自然冷却;将反应得到的产物离心分离,得到二硫化锡钼空心结构。该方法通过简单的实验装置来实现异质结构的批量生产,从而使生产成本被大大降低。

利用磁性氧化铁作为吸附剂深度分离钼酸盐中钒的方法

本发明涉及化工、冶金领域无机物提纯技术,特别是一种利用磁性氧化铁作为吸附剂深度分离钼酸盐中钒的方法。首先制备磁性氧化铁细颗粒,之后将其加入到含钒的钼酸盐溶液中并进行搅拌混合,磁性氧化铁颗粒可选择性地从溶液中吸附钒,反应结束后在外加磁场的作用下将负载吸附剂与溶液分离,从而得到纯净的钼酸盐溶液。由于采用上述技术方案,本方法具有钼钒分离效果好,钒的去除率可达95%以上,钼的共吸附损失低于5%;且吸附剂磁性能好,固液分离可在10秒内完成,流程短、设备简单、成本低,适合大范围推广。

一种废钼渣制备二硫化钼的综合利用方法

专利申请号:CN201811316430公开号:CN109133173A申请日:2018.11.07公开日:2019.01.04申请人:洛阳申雨钼业有限责任公司本发明涉及二硫化钼制备技术领域,特别是涉及一种废钼渣制备二硫化钼的综合利用方法。该方法包括以下步骤:将废钼渣干燥,干燥后的废钼渣在惰性气体保护下进行焙烧;焙烧后降温出料得到二硫化钼粗品;然后二硫化钼粗品研磨进行酸浸,酸浸时先采用盐酸酸浸再采用氢氟酸酸浸,酸浸结束后进行后处理得到二硫化钼。本发明的方法能够有效地利用废弃物,节约资源,保护环境,降低成本,提高经济效益。

一种氧掺杂二硫化钼材料及其制备方法

本发明涉及一种氧掺杂二硫化钼材料及其制备方法,将钼的前驱物分散溶解于硫化铵溶液中,使用氨水调节溶液的酸碱度至10≤pH≤14,在50~100℃下反应0.5~6 h,反应完成后将溶液转移进入水热合成釜,充入氮气保护,向该溶液中加入水合肼,密闭合成釜,在140~220℃的温度下水热处理0.5~24 h后冷却至室温,过滤,用去离子水洗涤,真空干燥,制得该氧掺杂二硫化钼材料。该材料具有热稳定性好、耐强酸、比表面积大等优易性能,在催化、电极材料等领域具有潜在应用价值。

一种含有三氧化钼的低熔点琉璃及其制造方法

本发明属于工艺品和首饰品生产领域，具体说是一种添加了新型的低熔点化学成分生产的新型琉璃及其制造方法。特征在于本发明的原料为氧化铅、二氧化硅、三氧化钼、碳酸钠、碳酸钙、颜料中的全部或部分，制备步骤为：（1）称量；（2）破碎、研磨；（3）混合、搅拌；（4）熔炼；（5）打磨、抛光。

专利技术

中西矿业年产300万t钼矿采选项目正式投产2012年9月1日,内蒙古中西矿业有限公司年产300万t钼矿采选项目投产典礼在乌兰察布市卓资县举行。

一种低酸低氧二硫化钼的制备方法

本发明提供了一种低酸低氧二硫化钼的制备方法,具体为:首先将钼精矿在盐酸和硝酸中浸出、搅拌,过滤,然后将滤饼在盐酸和氢氟酸中继续浸出、搅拌,过滤,最后对滤饼用氨水和清水依次进行洗涤,并干燥,即得到低酸低氧二硫化钼。相较于一般方法,采用本发明方法制备得到的二硫化钼,其酸值与氧化钼含量均大幅度降低,提高了二硫化钼的质量,具有广阔的市场应用前景。

专利名称:一种利用废旧二硅化钼涂层制备三氧化钼的方法

专利申请号:CN201911016413.8公开号:CN110723751A申请日:2019.10.24公开日:2020.01.24申请人:中南大学本发明公开了一种利用废旧二硅化钼涂层制备三氧化钼的方法,属于稀有金属回收再利用技术领域。本发明利用基体与二硅化钼涂层热膨胀系数的不同采用热震的方法,在800℃通入氢气的情况下热震10~50次,其中每次热震包括保温10 min水冷降温10 min。

专利名称:一种生长可控的稀土钕掺杂二硒化钼薄膜材料制备方法

专利申请号:CN201811121638公开号:CN109182979A申请日:2018.09.26公开日:2019.01.11申请人:中国计量大学本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应,制得钕掺杂二硒化钼的多晶体;接着通过压制及烧结,制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶;将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔,通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶,控制频率、时间、功率等因素,获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。

聚磷腈微球为碳源的二硫化钼复合材料的制备方法

专利申请号:CN201810883372公开号:CN109161023A申请日:2018.08.06公开日:2019.01.08申请人:浙江工业大学一种聚磷腈微球为碳源的二硫化钼复合材料的制备方法,六氯环三磷腈(HCCP)和4,4'-二羟基二苯砜(BPS),在超声作用下通过一步沉淀缩聚法得到聚磷腈(PZs)纳米微球。并通过水热合成法在聚磷腈(PZs)纳米微球表面原位生长一层二硫化钼纳米片。本发明提供一种比表面积大、颗粒均匀的聚磷腈微球为碳源的二硫化钼复合材料的制备方法。

一种二氧化钼金属复合电极及其制备方法和应用

本发明涉及一种二氧化钼金属复合电极及其制备方法和应用;属于电化学技术领域。本发明首先配制一种含可溶性钼酸盐和其他金属含氧酸盐的混合碱性溶液;然后通过电化学共沉积在电极集流体表面沉积二氧化钼和金属的复合沉积层,从而得到一种超级电容器用二氧化钼复合电极。本发明通过电化学共沉积超级电容器用二氧化钼金属复合电极,将一种金属均匀分布于二氧化钼沉积层内部,所选金属在二氧化钼的工作电势范围内能够稳定存在而不受电化学腐蚀,同时具有高析氢过电势而不影响二氧化钼的充放电效率,因此可以提高所制备电极的电子电导率和电化学性能,获得高比电容特性的电极。本发明复合电极的结构设计合理,制备工艺简单,便于大规模的制备和应用于超级电容器。

专利名称:一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用

专利申请号:CN201811009185公开号:CN109126844A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:厦门理工学院本发明涉及一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用,所述方法为将钼源、硝酸铵、甘氨酸混合均匀,之后加热到160~180℃,得到混合物1,加入葡萄糖,之后加热到230~280℃,获得蓬松固体,放入氢气氛围下加热到450~550℃,降温得到碳化钼纳米片。

专利名称:一种中空碳包覆硒化钼纳米结构的制备方法及应用

专利申请号:CN201911063919.4,公开号:CN110783568A,申请日:2019.11.04,公开日:2020.02.11,申请人:陕西科技大学。本发明公开了一种中空碳包覆硒化钼纳米结构的制备方法及应用,采用MnCO_(3)作为骨架模型,通过硒化,包碳,及溶解MnCO_(3)骨架模型,形成一种中空MoSe_(2)/C纳米结构。利用空心碳纳米立方结构提供比表面积较大的纳米片和较好的导电性能,且适宜K+的通过,同时利用碳骨架之间的协同效应,使得到的活性材料的导电率,循环性能和倍率性能更佳。

专利名称:一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器

专利申请号:CN201920461828.5,公开号:CN210015074U,申请日:2019.04.08,公开日:2020.02.04,申请人:天津大学。本实用新型公开一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器,使用二硫化钼材料为传感材料并在两侧设置源极和漏极,在二硫化钼材料上方设置紫外滤光片,传感器两侧设置气体输入和输出通道,源极和漏极的引线从传感器两侧伸出,在紫外光照下,NO_(2)气体扩散到MoS_(2)表面,MoS_(2)中的电子转移给NO_(2)气体,后端电流采样电路捕获MoS_(2)电导变化,实现NO_(2)浓度的定量测量。

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法

本发明公开了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法,其主要步骤为:1)将硫粉末和三氧化钼粉末分别装入两个石英舟中,将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上,正面朝下;(2)将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟分别放置于一根石英试管的底端和管口处;(3)将上述石英试管放置于管式炉中,试管底端和管口分别处于管式炉的边缘区和中心区;(4)向管式炉中通入保护气体氟气或氮气,且保持常压,直至实验结束;(5)以一定的升温速率升温管式炉,使管式炉的边缘区和中心区分别处于适当温度,并保持一段时间,硫粉末升华后与气相三氧化钼发生反应,在衬底上生成大面积的单层及少层二硫钼薄膜;(6)冷却管式炉至室温,完成制备过程。