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题名钛宝石晶体中的位错以及退火对位错的影响
被引量:5
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作者
曾贵平
殷绍唐
秦青海
葛玉香
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机构
中国科学院安徽光学精密机械研究所
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出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期168-171,共4页
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基金
国家自然科学基金!资助项目 (5 9832 0 80 )
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文摘
用化学腐蚀剂腐蚀出样品的 (0 0 0 1)表面上的位错蚀坑 ,在原生态和退火样品的对应径向线上测量了位错腐蚀坑的密度分布 .由位错腐蚀坑的形成理论确定出原生态晶体中很可能有 3种位错类型 ,即Burgers矢量b =13〈112 0〉 ,13〈110 1〉和〈10 10〉的位错线 ,然而长时间在还原性高温气氛中的退火难以降低晶体中的总的位错密度 .在晶体的放肩至等径生长阶段 ,沿着晶体的生长方向 ,晶体棒中心的位错密度由高变低 ,这显示出 :在晶体的放肩至等径生长的转变过程中 ,生长界面发生了翻转 ,由凹形界面转变为凸形界面 ,位错线随之从晶体棒的中心向边缘发散 .
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关键词
位错
腐蚀坑密度
退火
激光晶体
钛宝石晶体
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Keywords
Annealing
Crystal growth
Dislocations (crystals)
Hydrogen
Lasers
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分类号
TQ164.99
[化学工程—高温制品工业]
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