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添加纳米氧化铝粉对可加工微晶玻璃性能的影响及机理研究 被引量:3
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作者 王双华 阎飞 +1 位作者 刘怀喜 张秀丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期84-86,共3页
采用烧结法制备出了纳米氧化铝粉含量从0~5%的可加工微晶玻璃,对其可加工性能、维氏硬度、显微结构和物相分析的结果表明:纳米氧化铝粉能显著提高微晶玻璃的可加工性能,使之能够攻出螺纹;纳米氧化铝粉的加入使微晶玻璃的维氏硬度降低... 采用烧结法制备出了纳米氧化铝粉含量从0~5%的可加工微晶玻璃,对其可加工性能、维氏硬度、显微结构和物相分析的结果表明:纳米氧化铝粉能显著提高微晶玻璃的可加工性能,使之能够攻出螺纹;纳米氧化铝粉的加入使微晶玻璃的维氏硬度降低。通过微晶玻璃的显微结构分析表明,纳米氧化铝粉没有与微晶玻璃中的成分发生化学反应,均匀分布在微晶玻璃的晶粒或晶界上,起到"钉扎"的作用,从而有效提高了微晶玻璃的可加工性能。 展开更多
关键词 纳米氧化铝粉 可加工微晶玻璃 可加工性能 显微结构
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转炉用环保型水结合镁质修补料的流动性研究 被引量:2
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作者 王堂玺 朱伯铨 +4 位作者 杜鹏 郑怡 何成 高山娇 于东溟 《耐火材料》 CAS 北大核心 2013年第1期35-38,共4页
为改善转炉修补料对环境和工人身体造成的危害,以镁砂骨料(5~3、3~1和≤1 mm)和细粉(≤0.088mm)、SiO2微粉、SiC(≤1 mm)、α-Al2O3微粉、球状SiO2、聚苯乙烯空心球为原料,制备了环保型水结合镁质修补料,并研究了SiC加入量(质量分数,... 为改善转炉修补料对环境和工人身体造成的危害,以镁砂骨料(5~3、3~1和≤1 mm)和细粉(≤0.088mm)、SiO2微粉、SiC(≤1 mm)、α-Al2O3微粉、球状SiO2、聚苯乙烯空心球为原料,制备了环保型水结合镁质修补料,并研究了SiC加入量(质量分数,分别为0、1%、2%、3%和4%)、球状SiO2外加量(质量分数,分别为0.04%、0.08%、0.16%、0.24%)、聚苯乙烯空心球外加量(质量分数,分别为0.05%、0.1%、0.2%和0.3%)对该修补料常温和高温(1 000℃)流动性的影响。结果表明:(1)SiC加入量(w)从0至1%时,修补料的常温与高温流动性基本不变,加入量继续增加,则流动性明显降低。(2)随着球状SiO2外加量的增加,修补料的常温和高温流动性均先增加后降低,当其外加量(w)分别为0.08%和0.24%时,修补料的常温和高温流动性最好。(3)随着聚苯乙烯空心球外加量的增加,修补料常温流动值先增大到一定值后保持不变,高温流动性先增加后降低,当外加量(w)为0.2%时,高温流动性最好。 展开更多
关键词 环保型 镁质修补料 流动性 转炉
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耐热高强搪瓷 被引量:2
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作者 戴琦 《玻璃与搪瓷》 CAS 北大核心 2001年第5期52-55,共4页
阐述了在Li2 O -Al2 O3-SiO2 系统中Li2 O·SiO2 结晶对搪瓷的影响。通过对耐热高强搪瓷与普通搪瓷产品的理化性能测试比较 。
关键词 耐热搪瓷 高强搪瓷 搪瓷结构
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搪瓷表面TiO_2薄膜的制备和光催化性能表征
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作者 张宝宁 蒋伟忠 +1 位作者 刘亦非 陈丽芸 《玻璃与搪瓷》 CAS 2005年第4期47-50,共4页
以搪瓷表面为载体,在常温下采用溶胶-凝胶法制备二氧化钛(TiO2)薄膜,研究使用未添加聚乙二醇(PEG)的溶胶和添加少量PEG的溶胶制备出的薄膜在催化性能上的区别。结果表明,薄膜在450℃热处理1h后,具有完整的锐钛矿相和良好的光催化性能;... 以搪瓷表面为载体,在常温下采用溶胶-凝胶法制备二氧化钛(TiO2)薄膜,研究使用未添加聚乙二醇(PEG)的溶胶和添加少量PEG的溶胶制备出的薄膜在催化性能上的区别。结果表明,薄膜在450℃热处理1h后,具有完整的锐钛矿相和良好的光催化性能;使用添加少量PEG的溶胶制备的薄膜,其光催化能力更好。 展开更多
关键词 搪瓷 溶胶-凝胶 PEG 光催化
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LED照明灯研究与设计
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作者 孙彦 《中国新技术新产品》 2012年第5期13-13,共1页
LED作为新型光源,已经广泛得到普及应用。LED与传统光源相比,具有节能、环保、响应时间短、效率高、体积小、寿命长、抗震性好等多项优势,因而受到人们的青睐,也成为当前各国半导体照明领域研究的热点。本文围绕LED用于照明灯的光学设... LED作为新型光源,已经广泛得到普及应用。LED与传统光源相比,具有节能、环保、响应时间短、效率高、体积小、寿命长、抗震性好等多项优势,因而受到人们的青睐,也成为当前各国半导体照明领域研究的热点。本文围绕LED用于照明灯的光学设计、散热设计、电路设计等关键技术进行研究。 展开更多
关键词 LED LED阵列 散热 驱动电路
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以综合性结合剂制备的气硬性耐火胶泥 被引量:1
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作者 付华 《国外耐火材料》 2002年第1期37-40,共4页
综合性结合剂由水玻璃、凝固剂及高铝水泥组成,用于制备含有粘土熟料骨料的气硬性耐火胶泥。测定了该胶泥的物理机械性能。对该胶泥在一次加热时的变形特点做了分析,并指出了其矿物结构的变化。
关键词 综合性结合剂 水玻璃 凝固剂 高铝水泥 物理机械性能
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覆铜板文摘及专利(12)
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作者 本刊编辑部 《覆铜板资讯》 2013年第4期23-25,共3页
复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法/CN102850726A/广东生益科技股份有限公司/曾宪平。陈广兵 摘要:本发明涉及一种复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法,该复合材料包括组分及其体积百分比如下:聚醚酰亚胺... 复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法/CN102850726A/广东生益科技股份有限公司/曾宪平。陈广兵 摘要:本发明涉及一种复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法,该复合材料包括组分及其体积百分比如下:聚醚酰亚胺增强材料10~90%及热固性树脂组合物10~90%。使用该复合材料制作的高频电路基板,包括:数层互相叠合的半固化片及压覆于该叠合的半固化片一侧或两侧上的铜箔,该数层半固化片中至少一张半固化片由所述复合材料制作。本发明的复合材料, 展开更多
关键词 覆铜板 复合材料 半固化片 专利 文摘 电路基板 树脂组合物 聚醚酰亚胺
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钢板搪瓷电路基板及其厚膜混合电路的工艺技术及制造方法概述(续)
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作者 吴国华 《中国搪瓷》 1999年第4期22-29,35,共9页
8 厚膜印剂及其涂烧工艺 搪瓷电路基板在烧成好后便可在其上印刷和烧制厚膜元件。在基板上涂烧厚膜的工艺称作厚膜工艺。
关键词 钢板 搪瓷 电路基板 混合电路 工艺 厚膜 烧结
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一种直热式TDP辐射板的制造方法(续)(技术可行性研究报告)
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作者 吴国华 《中国搪瓷》 2002年第1期11-18,共8页
5 直热式TDP板用搪瓷基板瓷釉配方设计 5.1 瓷釉配方设计 5.1.1 重结晶釉的选择 如上所述,普通搪瓷板软化为550℃到650℃,是不能用作电阻膜层的基板的。为此。
关键词 直热式 TDP辐射板 制造方法 搪瓷基板 瓷釉 配方
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高耐热性低膨胀率的多层板基板材料开发
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作者 龚莹 荒木俊二 中村善彦 《覆铜板资讯》 2012年第4期28-31,共4页
本文介绍了一种适应于无铅焊料的电子电路基板,是在传统的环氧树脂和酚醛树脂类固化剂组合成的新型树脂中,加入能遏制树脂组成物热膨胀的无机填料而制成的。研发者研究了该基板中添加的无机填料的种类、形状、分类,包括填料的添加量、... 本文介绍了一种适应于无铅焊料的电子电路基板,是在传统的环氧树脂和酚醛树脂类固化剂组合成的新型树脂中,加入能遏制树脂组成物热膨胀的无机填料而制成的。研发者研究了该基板中添加的无机填料的种类、形状、分类,包括填料的添加量、粒径大小、分散性等,获得了减少由于低树脂流动性及高钻孔加工磨损性所带来的不良影响,确保了这类基板材料的高耐热性和附着性,并且可实现与普通FR-4同等的除钻污性。上述开发产品与传统基板材料制成的电子线路基板相比,热分解温度降低了20℃,铜箔剥离强度提高了0.1kN/m,热膨胀率减少了6×10-6/℃,即使在温度循环试验中也具有优异的绝缘性和的导通可靠性。且除钻污性时也可用通用的工序进行加工。 展开更多
关键词 耐热性 低膨胀率 填料 无铅焊料 多层板基板材料
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Mayerton公司生产的电弧炉用耐火材料
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作者 刘景林 《国外耐火材料》 2001年第4期31-34,共4页
陈述了Mayerton公司推荐的现代电弧炉内衬用耐火材料。列举了由德国φykc公司制造的、125t竖式电弧炉内衬中耐火材料的试验状况。得出结论认为所推荐的耐火材料能够满足现代电弧炉炼钢生产的要求。
关键词 电弧炉 镁碳砖 捣打料 浇注料 耐火材料
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钢板搪瓷电路基板及其厚膜混合电路的工艺技术及制造方法概述
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作者 吴国华 《中国搪瓷》 1999年第2期32-38,共7页
本文全面系统地介绍了电子电路用钢板搪瓷电路基板的制造过程,同时也介绍了在这种基板上制作厚膜导体,厚膜电阻器以及厚膜绝缘层的工艺,还专门介绍了在钢板的孔上搪瓷和随后涂烧穿孔厚膜导体印剂的方法,评价了钢板搪瓷板用作电路基板的... 本文全面系统地介绍了电子电路用钢板搪瓷电路基板的制造过程,同时也介绍了在这种基板上制作厚膜导体,厚膜电阻器以及厚膜绝缘层的工艺,还专门介绍了在钢板的孔上搪瓷和随后涂烧穿孔厚膜导体印剂的方法,评价了钢板搪瓷板用作电路基板的优势以及采用电泳涂搪法制造钢板搪瓷电路基板的优势,指出了搪瓷电路基板广阔的应用前景,呼吁我国的搪瓷工作者和电路工作者共同努力填补这一空白。 展开更多
关键词 搪瓷 电路基板 混合电路 电子电路 制造
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耐高温电阻搪瓷探讨
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作者 陈志芳 《华东搪瓷》 1993年第1期1-3,共3页
关键词 搪瓷 电阻搪瓷 耐高温 电阻釉
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Convergent synaptic and circuit substrates underlying autism genetic risks
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作者 Aaron MCGEE Guohui LI +1 位作者 Zhongming LU Shenfeng QIU 《Frontiers in Biology》 CAS CSCD 2014年第2期137-150,共14页
There has been a surge of diagnosis of autism spectrum disorders (ASD) over the past decade. While large, high powered genome screening studies of children with ASD have identified numerous genetic risk factors, res... There has been a surge of diagnosis of autism spectrum disorders (ASD) over the past decade. While large, high powered genome screening studies of children with ASD have identified numerous genetic risk factors, research efforts to understanding how each of these risk factors contributes to the development autism has met with limited success. Revealing the mechanisms by which these genetic risk factors affect brain development and predispose a child to autism requires mechanistic understanding of the neurobiological changes underlying this devastating group of developmental disorders at multifaceted molecular, cellular and system levels. It has been increasingly clear that the normal trajectory of neurodevelopment is compromised in autism, in multiple domains as much as aberrant neuronal production, growth, functional maturation, patterned connectivity, and balanced excitation and inhibition of brain networks. Many autism risk factors identified in humans have been now reconstituted in experimental mouse models to allow mechanistic interrogation of the biological role of the risk gene. Studies utilizing these mouse models have revealed that underlying the enormous heterogeneity of perturbed cellular events, mechanisms directing synaptic and circuit assembly may provide a unifying explanation for the pathophysiological changes and behavioral endophenotypes seen in autism, although synaptic perturbations are far from being the only alterations relevant for ASD. In this review, we discuss synaptic and circuit abnormalities obtained from several prevalent mouse models, particularly those reflecting syndromic forms of ASD that are caused by single gene perturbations. These compiled results reveal that ASD risk genes contribute to proper signaling of the developing gene networks that maintain synaptic and circuit homeostasis, which is fundamental to normal brain development. 展开更多
关键词 autism spectrum disorders development risk genes SYNAPSE circuits behavior neurodevelopmental disorders
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