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玻璃掺杂及烧结工艺对BCZT压电陶瓷的影响
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作者 周源 曾梦诗 +1 位作者 曹丽嘉 余洪滔 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期20-27,35,共9页
采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介... 采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介电性能和压电性能的影响。最后通过正交试验确定了其烧结工艺。结果显示BCZT粉体的最佳预烧温度在1100℃。掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉能够有效降低BCZT陶瓷的烧结温度。通过烧结工艺正交实验获得了最佳烧结工艺:1100℃预烧,1350℃烧结,升温速度为2℃/min,保温时间为7 h,在110 min降温至800℃。验证正交试验所得到的结果是掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT陶瓷的居里温度点的介电常数为12228,压电常数d_(33)为425 p C/N。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 锆钛酸钡钙(BCZT) 正交试验 压电性能
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Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷的制备与表征
2
作者 何梦慈 王元凯 娄本浊 《化工技术与开发》 CAS 2024年第5期1-5,72,共6页
本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧... 本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧结温度、Zn掺杂量x、Sn掺杂量y等因素对Mg_(2)TiO_(4)的晶体结构无明显影响,烧结致密性随烧结温度的升高呈先增大后减小的趋势,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4),烧结致密性最佳,达到98%。微波介电特性分析结果表明,Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)的介电常数εr与品质因数Q×f值,均随烧结温度的升高而呈先增大后减小的趋势,且其谐振频率温度系数τf具有较好的稳定性,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O4,εr≈15.55,Q×f≈319690GHz,此时τf≈-52.06×10^(-6)·℃^(-1)。与前人的研究结果比较后可知,本研究制备的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4)不仅将烧结温度大幅下降至1300℃,还能将品质因子提升至319690GHz,使其微波介电性能得到有效改善。 展开更多
关键词 微波介电陶瓷 Mg_(2)TiO_(4) Zn-Sn共掺杂 固相反应法 微波介电特性
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Nb掺杂对Ca_(0.94)Ce_(0.06)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)铋层状高温压电陶瓷电学性能影响研究
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作者 李恺 伍子成 +2 位作者 沈宗洋 骆雯琴 宋福生 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期16-21,共6页
采用固相反应法制备了Ca_(0.94)Ce_(0.06)Bi_(4)Ti_(4-x)Nb_(x)O_(15)(CCBTN)铋层状高温压电陶瓷,研究了B位Nb掺杂对陶瓷晶体结构、微观形貌、介电、压电性能的影响规律。结果表明:制备的CCBTN陶瓷均具有单一的铋层状结构相,少量Nb掺杂... 采用固相反应法制备了Ca_(0.94)Ce_(0.06)Bi_(4)Ti_(4-x)Nb_(x)O_(15)(CCBTN)铋层状高温压电陶瓷,研究了B位Nb掺杂对陶瓷晶体结构、微观形貌、介电、压电性能的影响规律。结果表明:制备的CCBTN陶瓷均具有单一的铋层状结构相,少量Nb掺杂有利于陶瓷压电常数及热稳定性能的提升。当Nb掺杂量x=0.06时,陶瓷具有最高的压电常数(d33=19.2pC·N^(-1)),是纯CBT陶瓷压电常数(d33=8 p C·N^(-1))的2.4倍,且退火至500℃时其压电常数仍保持室温值的90%以上,表现出较优异的热稳定性。同时,该陶瓷具有高的居里温度(Tc=769℃)、低的介电损耗(tanδ=0.65%)及高的电阻率(ρdc=2.0×10^(7)Ω·cm@500℃),是高温压电传感器制作的优异候选材料。 展开更多
关键词 高温压电陶瓷 铋层状结构 CaBi_(4)Ti_(4)O_(15) Nb掺杂 压电传感器
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钛酸钡三维复合材料微观结构与电学性能研究
4
作者 吴超峰 龚文 +5 位作者 耿进锋 崔建业 秘立鹏 聂京凯 何强 裘旭挺 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期28-35,共8页
压电材料可实现机械能与电能的相互转换,采用增材制造的方式,将具有压电性能的钛酸钡(BaTiO_(3),BT)功能陶瓷材料打造为三维结构。通过对比PDMS、BT/PDMS和三维(BT)/PDMS柔性复合材料的介电频谱测试结果,发现三维结构有助于提升复合材... 压电材料可实现机械能与电能的相互转换,采用增材制造的方式,将具有压电性能的钛酸钡(BaTiO_(3),BT)功能陶瓷材料打造为三维结构。通过对比PDMS、BT/PDMS和三维(BT)/PDMS柔性复合材料的介电频谱测试结果,发现三维结构有助于提升复合材料的介电性能。同时,在一定的循环压力下对比了以上三者的输出电压,表明三维结构能大幅提升复合材料的输出电压,且极化后内部电势场的建立将3D-BT/PDMS的输出电压提升至250mV。可见3D-BT/PDMS复合柔性聚合物具有优异的电能转换能力,在柔性电容器和柔性传感器等领域有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 压电陶瓷 增材制造 柔性复合
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研磨型AlN基板表面腐蚀对AlN-AMB覆铜板剥离强度的影响 被引量:1
5
作者 许海仙 曾祥勇 +2 位作者 王吕华 朱家旭 汤文明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期246-251,共6页
为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强... 为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强度等的对比探究。结果表明,研磨型AlN基板表面存在大量破碎晶粒和微裂纹,所制备的AlN-AMB覆铜板气孔率较高,界面剥离强度只有5.787 N/mm。腐蚀可有效去除其表面破碎晶粒和微裂纹,提升AlN基板表面致密度和一致性。采用35 min腐蚀AlN基板制备的AlN-AMB覆铜板气孔率大幅降低,剥离强度提升至10.632 N/mm,相比处理前提升了83.7%。 展开更多
关键词 氮化铝基板 活性金属钎焊(AMB) 腐蚀 显微组织结构 剥离强度
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高性能微波铁氧体陶瓷材料的研究进展
6
作者 龙安丽 刘平 +4 位作者 邓艳 刘晏 安冰维 王五松 鄢波 《化工技术与开发》 CAS 2024年第5期52-57,共6页
铁氧体材料中含有大量的铁离子和氧离子,可通过磁性相互作用形成强磁性,使材料具有高温稳定性和高饱和磁化强度等。随着技术的发展,微波铁氧体材料已成为通讯设施和军用设备中不可或缺的材料,并要求具有低损耗、高功率、高频段等特点。... 铁氧体材料中含有大量的铁离子和氧离子,可通过磁性相互作用形成强磁性,使材料具有高温稳定性和高饱和磁化强度等。随着技术的发展,微波铁氧体材料已成为通讯设施和军用设备中不可或缺的材料,并要求具有低损耗、高功率、高频段等特点。本文总结了微波铁氧体的物理机理,介绍了多种微波铁氧体陶瓷材料如嵌套型微波铁氧体陶瓷材料、高介电常数微波铁氧体陶瓷、自偏置型微波铁氧体陶瓷材料等的特点和研究进展,并对未来微波铁氧体陶瓷材料的发展方向进行了分析。 展开更多
关键词 微波铁氧体 陶瓷材料 物理机理
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快速冷却对Y^(3+)掺杂的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷介电性能的影响
7
作者 唐鹿 薛飞 +1 位作者 田娅晖 李旺 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期21-25,34,共6页
采用固相反应法制备了Ca Cu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)及Y^(3+)掺杂的Ca_(0.97)Y_(0.03)Cu_(3)Ti_(4)O_(12) (CYCTO)陶瓷,研究了陶瓷烧成过程中采用随炉冷却和在空气中快速冷却的工艺对陶瓷样品物相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表... 采用固相反应法制备了Ca Cu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)及Y^(3+)掺杂的Ca_(0.97)Y_(0.03)Cu_(3)Ti_(4)O_(12) (CYCTO)陶瓷,研究了陶瓷烧成过程中采用随炉冷却和在空气中快速冷却的工艺对陶瓷样品物相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,当采用随炉冷却工艺时,Y^(3+)掺杂的CYCTO陶瓷的介电常数(ε′)相对于未掺杂的CCTO陶瓷有所提高,同时介电损耗(tanδ)也得到同步降低。而当采用在空气中快速冷却的工艺时,CYCTO陶瓷的ε′和tanδ得到进一步优化。阻抗分析表明,在空气中快速冷却的CYCTO陶瓷的晶粒导电性和晶界的绝缘性得到同步提高,从而增强了CYCTO陶瓷的介电响应而提高了ε′;而晶界绝缘性地提高导致了tanδ的进一步降低。快速冷却的CYCTO陶瓷在1 k Hz时,其ε′高达4.06×10~4,tanδ降低到0.036,其介电性能比随炉冷却的CCTO陶瓷(ε′=1.68×10~4,tanδ=0.16)得到显著提升。 展开更多
关键词 CaCu_(3)Ti_(4)O_(12) 介电性能 掺杂 阻抗分析 快速冷却
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MnFe_(2)O_(4)/graphene的制备及其超级电容性能
8
作者 史磊 费明婕 +1 位作者 陈奇志 颜东亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期10-14,共5页
采用水热法制备了MnFe_(2)O_(4)/石墨烯(MFO/graphene)复合材料。利用XRD、SEM、EDS、循环伏安、计时电位等手段对MFO/graphene的物理与化学性能进行了表征。结果表明:产物为直径约100 nm的MFO颗粒均匀分布于graphene的片层上;MFO/graph... 采用水热法制备了MnFe_(2)O_(4)/石墨烯(MFO/graphene)复合材料。利用XRD、SEM、EDS、循环伏安、计时电位等手段对MFO/graphene的物理与化学性能进行了表征。结果表明:产物为直径约100 nm的MFO颗粒均匀分布于graphene的片层上;MFO/graphene复合材料在3M KOH溶液中表现较好的超级电容特性。由于graphene的引入,提高了MFO材料导电性,进而改善了复合材料的电化学性能,MFO/graphene电极材料在1 A·g^(-1)的电流密度下展现出600 F·g^(-1)的比容量,与MFO相比,比电容提高了近47.1%。 展开更多
关键词 超级电容器 MnFe_(2)O_(4) GRAPHENE
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一种新型ZnO基复合导电陶瓷的制备及性能表征
9
作者 刘谦 刘明宝 《当代化工》 CAS 2023年第7期1519-1522,1532,共5页
对传统ZnO基复合导电陶瓷的组成和制备工艺进行优化,系统表征了试样的显微结构和电学性能,成功制备出一种具有线性伏安特性、阻频特性稳定的新型导电陶瓷材料。实验结果表明:微波烧结可以显著降低试样的烧成温度、抑制元素过度扩散,促进... 对传统ZnO基复合导电陶瓷的组成和制备工艺进行优化,系统表征了试样的显微结构和电学性能,成功制备出一种具有线性伏安特性、阻频特性稳定的新型导电陶瓷材料。实验结果表明:微波烧结可以显著降低试样的烧成温度、抑制元素过度扩散,促进MgAl_(2)O_(4)和ZnO形成稳定的“渗流导电”结构。此外,基体内部的晶界效应不显著,“阈值”范围内可以实现电阻率的连续可调。 展开更多
关键词 ZnO基复合导电陶瓷 阻频特性 MgAl_(2)O_(4) 渗流导电结构
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介电可调型多孔钛酸钡压电陶瓷制备及性能研究
10
作者 方嘉淇 阳磊 +1 位作者 张海明 王挺 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期10-16,共7页
采用冷冻干燥法结合固相烧结制备了具有层状孔结构的多孔钛酸钡压电陶瓷,研究了固含量对陶瓷的相组成、微观结构、介电和铁电性能的影响。随着固含量的增加,所制备的陶瓷孔径、气孔率均减小,介电常数和极化强度均随气孔率的增大而减小... 采用冷冻干燥法结合固相烧结制备了具有层状孔结构的多孔钛酸钡压电陶瓷,研究了固含量对陶瓷的相组成、微观结构、介电和铁电性能的影响。随着固含量的增加,所制备的陶瓷孔径、气孔率均减小,介电常数和极化强度均随气孔率的增大而减小。在气孔率为67%、频率为100 k Hz、居里温度TC=121℃时,最大介电常数降为571.88,相比于致密钛酸钡陶瓷介电常数有所降低,而介电损耗并未明显增大;在30 kV/cm场强下,剩余极化强度Pr为2.00μC/cm^(2)。通过孔结构的设计,实现了多孔钛酸钡压电陶瓷得介电可调性。所制备的多孔压电陶瓷可利用内部交联孔道和压电效应在污水过滤中实现循环使用,亦可在水声换能、声呐探测、生物医学等诸多方面得到应用,具有很广泛的应用前景。 展开更多
关键词 介电常数 冷冻干燥法 钛酸钡 多孔陶瓷
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Co、Sm共掺杂PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结与电性能研究
11
作者 谢义磊 石棋 +2 位作者 胡学兵 何中睿 洪顺球 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期30-34,共5页
试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.2)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))_(0.8)O_(3)+0.6mol%Co_(2)O_(3)+0.04mol%Sm_(2)O_(3)三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的... 试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.2)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))_(0.8)O_(3)+0.6mol%Co_(2)O_(3)+0.04mol%Sm_(2)O_(3)三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构。结果显示,Co、Sm共掺杂不仅改善了PZN-PZT的压电、介电综合性能:d_(33)=301 pC/N,K_(p)=0.72,ε_(r)=1486.46,tanδ=0.11%,Q_(m)=515,而且将材料的烧成温度降低到950℃。 展开更多
关键词 Co、Sm共掺杂 PZN-PZT压电陶瓷材料 低温烧结 压电性能
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厚度对溶胶-凝胶法制备BaTi_(0.99)Fe_(0.01)O_(3)薄膜的结构及电性能研究
12
作者 黄玲 郑博 孙琳琳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期28-32,共5页
采用溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO_(2)/(100)Si基片上不同厚度的BaTi_(0.99)Fe_(0.01)O_(3)(BFTO)薄膜,研究了不同薄膜厚度对BFTO薄膜的晶体结构、介电和铁电性能的影响。在薄膜厚度低于370 nm时,BFTO薄膜呈现四方相结构,而随着厚度进一... 采用溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO_(2)/(100)Si基片上不同厚度的BaTi_(0.99)Fe_(0.01)O_(3)(BFTO)薄膜,研究了不同薄膜厚度对BFTO薄膜的晶体结构、介电和铁电性能的影响。在薄膜厚度低于370 nm时,BFTO薄膜呈现四方相结构,而随着厚度进一步增加,薄膜的四方性降低。随着厚度的增加,有利于提高薄膜的介电常数,而铁电性能逐渐降低。在厚度为370 nm时,薄膜具有良好的铁电性能和较低的漏电流,剩余极化Pr为12μC/cm^(2),漏电流密度为2.4×10^(-6)A/cm^(2)。 展开更多
关键词 BFTO薄膜 厚度 电性能
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BaTiO_3纳米晶机械力化学合成 被引量:19
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作者 吴其胜 高树军 +1 位作者 张少明 杨南如 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期719-724,共6页
在氮气保护下,采用高能球磨BaO,锐钛矿型TiO2混合粉体,机械力化学法成功地合成了BaTiO3纳米晶,并讨论了反应机制.发现在一定操作参数条件下,粉磨初期为无定形形成期(15h以前),混合物颗粒粒度减小,晶格畸变,转变为无定形;粉磨中期为固... 在氮气保护下,采用高能球磨BaO,锐钛矿型TiO2混合粉体,机械力化学法成功地合成了BaTiO3纳米晶,并讨论了反应机制.发现在一定操作参数条件下,粉磨初期为无定形形成期(15h以前),混合物颗粒粒度减小,晶格畸变,转变为无定形;粉磨中期为固相反应期(15~30h);BaO与TiO2在机械力的作用下产生固相反应生成BaTiO3,同时BaTiO3晶粒长大;粉磨后期又转入动态平衡期(30h以后),固相反应基本结束,已生成的BaTiO3的晶粒生长与粉磨引起的晶粒减小处于动态平衡;XRD,SEM;TEM研究表明:合成BaTiO3纳米晶体的晶粒尺寸为10~30nm. 展开更多
关键词 BATIO3 纳米晶体 机械力化学合成 机械力化学 钛酸钡 电子陶瓷
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长余辉蓄光陶瓷SrAl_2O_4∶Eu,Dy的性能及发光机理 被引量:29
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作者 张中太 张枫 +1 位作者 唐子龙 孙红飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期295-296,共2页
制备了SrAl2O4∶Eu,Dy材料。并测得其激发光谱,发射光谱和衰减曲线。首次报道了Dy的含量与荧光亮度和持续时间的关系,并对SrAl2O4∶Eu,Dy系统的发光机理进行了解释。
关键词 长余辉 陶瓷 发光机理 蓄光陶瓷 性能
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软化学法制备钛酸钡粉体的研究进展 被引量:23
15
作者 王辉 崔斌 +1 位作者 畅柱国 王小芳 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期773-776,共4页
本文着重讨论了一些软化学法制备钛酸钡粉体的工艺特点、反应机理及应用前景 ,并对溶胶
关键词 软化学法 钛酸钡粉体 制备 溶胶-凝胶法 PTC材料 MLCC材料 BaTi03 电子陶瓷
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Mn掺杂BaTi_4O_9陶瓷结构和介电性能 被引量:12
16
作者 吴顺华 陈力颖 +3 位作者 陈晓娟 赵玉双 张志萍 熊文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期80-83,共4页
用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷 ,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi4O9属正交晶系 ,空间群Pmmn ,晶格常数为a =1.45 3nm ,b =0 .3 79nm ,c=0 .62 9nm ,每个原胞有两个分子 ,钛原子位于... 用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷 ,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi4O9属正交晶系 ,空间群Pmmn ,晶格常数为a =1.45 3nm ,b =0 .3 79nm ,c=0 .62 9nm ,每个原胞有两个分子 ,钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值 ,在 1MHz下测得的Q值为 125 0 0 .而没有掺杂的陶瓷有高的损耗 ,这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+ ,显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂 ,依据反应 :Mn3+ +Ti3+ Mn2 + +Ti4+ ,可能有助于Ti4+ 的形成 .BaTi4O9陶瓷具有优良的介电性能 :低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数 .此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域 . 展开更多
关键词 介电性能 锰掺杂 主晶相 四钛酸钡 介电陶瓷 结构
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添加La_2O_3对Mg_2TiO_4陶瓷的显微结构与微波介电性能的影响 被引量:12
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作者 崔剑飞 陈玮 +2 位作者 王乃刚 张干城 罗澜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期180-184,共5页
采用传统烧结工艺,制备了具有不同La2O3含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响.结果表明,不含La2O3的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg2TiO4,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La2O3后,出现... 采用传统烧结工艺,制备了具有不同La2O3含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响.结果表明,不含La2O3的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg2TiO4,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La2O3后,出现新晶相La0.66TiO2.99,材料的晶粒尺寸明显下降;随La2O3含量的增加,材料的介电常数线性增加,材料的品质因数Q在10GHz出现最大值(16558). 展开更多
关键词 LA2O3 Mg2TiO4陶瓷 显微结构 微波材料 镁钛镧陶瓷 介电性能
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镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响 被引量:20
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作者 范素华 胡广达 +3 位作者 张丰庆 岳雪涛 任艳霞 徐静 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期76-79,共4页
为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系。实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作... 为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系。实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用。但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同。镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm。 展开更多
关键词 介电陶瓷 钛酸钡 La^3+掺杂 Ce^3+掺杂 溶胶-凝胶法
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SrO-Nb_2O_5-TiO_2系压敏陶瓷中Nb^(5+)和Sr^(2+)的研究 被引量:12
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作者 周方桥 李莉 +2 位作者 傅刚 陈志雄 庄严 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1174-1180,共7页
用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于... 用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善. 展开更多
关键词 压敏陶瓷 半导体 压敏电阻 铌(V) 锶(Ⅱ) 氧化锶 氧化铌 二氧化钛
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Bi_2O_3晶须的水热合成研究 被引量:12
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作者 杨群保 李永祥 +2 位作者 殷庆瑞 王佩玲 程一兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期979-984,共6页
采用Bi(OH)3原料和KOH矿化剂,在120~220℃和0.5~10h的水热条件下,制备出单斜结构的α-Bi2O3;研究了原料种类、反应温度和保温时间对Bi2O3粉体形貌的影响,获得了分散性好、无团聚、长度4~70μm和长径比5~16的Bi2O3晶须.
关键词 BI2O3 水热合成 晶须 氧化铋 矿化剂 氢氧化钾 电子陶瓷
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