硅片CMP终点检测技术现状与发展趋势

化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键。若未能有效地监测抛光工艺过程,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制的基础上,着重阐述了当前几种CMP终点检测技术的原理及优缺点,最后讨论了CMP终点检测技术的发展趋势。

敏化温度对乳化炸药爆速影响的实验研究

为了研究敏化温度对乳化炸药爆速的影响,分别采用物理、化学两种敏化方式测量不同敏化温度下乳化炸药爆速;实验结果表明,在30℃-70℃内,随着敏化温度的升高,爆速逐渐增大;当敏化温度大于70℃时,爆速降低;低温下物理敏化效果较好,而高温下化学敏化效果较好,温度70℃左右时,敏化效果最好,爆速达到最大值。