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影像干涉光刻技术
1
作者
童志义
《电子工业专用设备》
1998年第4期54-59,共6页
采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻技术未来的...
采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻技术未来的发展,将使光学方法制作100nm以下的电路图形成为可能。
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关键词
影像干涉光刻
光刻技术
ULSI
IC
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职称材料
题名
影像干涉光刻技术
1
作者
童志义
机构
美国新墨西哥州大学高技术材料中心
出处
《电子工业专用设备》
1998年第4期54-59,共6页
文摘
采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻技术未来的发展,将使光学方法制作100nm以下的电路图形成为可能。
关键词
影像干涉光刻
光刻技术
ULSI
IC
分类号
TU470.57 [建筑科学—结构工程]
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题名
作者
出处
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1
影像干涉光刻技术
童志义
《电子工业专用设备》
1998
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