焊接温度对金属陶瓷封接强度的影响

本文研究了焊接温度对金属陶瓷封接抗拉强度的影响，采用了三种没的工业用焊接合金焊料，将氧化铝瓷难焙金属封接件以不同温度进行煅烧，我们来检验一下在对应于欠焊接（在略等于合金液相线的温度下焊接）以及过焊接（在大大高于合金液相线的温度下焊接）两种条件下进行的焊接温度试验，采用－ＡＳＴＭ（美国标准试验方法）Ｆ１９－６４修改稿进行了抗拉强度试验。结果表明，一般情况下，过焊接会造成封接件抗拉强度的降低。

真空开关管CuCr触头微粒的产生

使用一台电子扫描显微镜（ＳＥＭ）和一台激光显微镜，我们观察到在机械加工过的铜铬触头表面上的微粉和粒子，这些微粉和粒子认为是由于机械加工而形成的切削瘤。在正常电流的开断及关合工作状态下，机械加工的触头表面每１ｃｍ＾２产生（５．７－８．７）×１０＾３个微粒。一般微粒大小为几十个μｍ。那些大于１０μｍ的微粒常常能看见。这意味着经机械加工的铜铬触头使用在真空断路器上时，无论如何必须进行表面处理。

真空断路器的技术革新

目前，在３６ＫＶ中压断路器范围内，新生产的７０％以上是真空断路器，已经成为这个等级范围的主流。近年来本公司为满足维修省力，以及提高工作效率等的社会需求，推行了种种研究和开发，在最高性能方面更高可靠性的ＶＣＢ已产品化。目前作为具有代表性的产品实例是世界上率先产品化的７．２ＫＶ－４０ＫＶ低过电压ＶＣＢ，将真空灭弧室用绝缘物进行整体浇注而装成的２４ＫＶ超小型ＶＣＢ，不但提高了合寿命，更适合于频繁操作。

陶瓷——玻璃——金属的微波加热封接法

陶瓷－－玻璃－－金属的微波加热封接法是将玻璃封接材料膏剂和耦合添加剂混合，并施加到上述陶瓷和金属工件上，膏剂和工件此时最分离的，而微波加热的功率，时间和频率足以使膏剂液化，玻璃封接材料的化学反应不同于常规加热，因为这是由扩散形成的而不是反应物的浸润。

有助于把电弧转变成扩散型的纵向磁场真空灭弧室

一个能产生强径向磁场的真空灭弧在其真空外壳内有一对面对面的触头，它们能在分断电路位置和闭合电路位置之间作相对移动。螺旋臂型或杯槽型触头由管状金属蒸气屏蔽筒围绕着。在触头处于分断电路位置时，该屏蔽筒与至少一个触头是电绝缘的。每个触头是与线圈和载流导电杆相串联的。这个位于触头背面的线圈可由灭弧室的开断电流所激励。导电杆则延到真空外壳之外。线圈中的电流在触头间区域内产生一个径向磁场。

CuW触头真空开关管的电容器开断能力

我们用触头材料为ＣｕＷ和ＣｕＣｒ的２４ＫＶ真空开关管进行了井联电容器开断试验。结果表明：ＣｕＷ触头的重击穿概率比ＣｕＣｒ触头的低。除大电流开断能力外，对地并联电容器的开断，ＣｕＷ也是一种优选触头材料。ＣｕＷ触头３４ＫＶ－２５ＫＡ真空开关管重击穿概率的计算结果为１０＾－３，而实际上为零。

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国Ｖａｒｉａｎ‘ｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃｔｒｉｃＣｏｒｐ。以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新呷极管、ＭＳＤＣ速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＯＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实便。

东芝真空断路器的低过电压化技术和VTL型开关设备

日本东芝公司主要用于热电站其额定值为７．２ＫＶ－４０ＫＡ的ＶＴ在设备已实现商品化。这种开关设备的真空断路器是经过多年研究取得成果，其中包括新触头材料的开发。因此，不需要过电压抑制器额定值为７．２ＫＶ－４０ＫＡ的低过电压型真空断路器（ＶＣＢ）已初次问世。

真空开关管电极面积对老炼效果的影响

为研究电极面积对老炼效果的影响，采用３种不同表面积的铜电极进行试验，它是真空间隙绝缘击穿的一个特点，老炼的过程随电极面积而变；电极面积越小，老炼完成的越快。一的击穿电压也取决于电极面积，；电极面积越小，击穿电压越高。

214氢炉液压系统的改进

在液压系统中，无论采用哪种节流调速方案，都存在一个共同的问题，即执行元件的速度不可避免地随着负载的变化而变化，这是因为负载的变化引起好以阀两端的压力差Ｐ１－Ｐ２＝△Ｐ的变化。要使两端压差趋于稳定，首先要保证通过的流量稳定，这便于调速阀。在调速回路中用调速阀代替节流阀，不仅改善了负载速度特性，也提高了承载低速特性，同时扩大了调速范围。

气密性陶瓷管壳

本发明披露了制造气密性陶瓷管壳的方法。这种方法包括如下几个步骤：先在管状陶瓷零件开口端面上涂复由Ｔｉ和／或Ｚｒ组成的活性金属，其涂复的数量为０．１－１０ｍｇ／ｃｍ＾２，这样，就形成了一系列支，然后把钎焊放置于活性金属层上，再放置画住管状陶瓷零件开口部分的金属罩，而金属罩端面圆周应与钎焊料相接触，于是，卞把罩钎焊到了管状陶瓷零件的开口端面上。