期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
反应磁控溅射制备c轴择优取向氮化铝薄膜的研究进展 被引量:2
1
作者 周剑 赵楷 +2 位作者 冯斌 金浩 王德苗 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期1-9,共9页
AlN薄膜在力学、光学和电子学中有着广泛的应用,而反应磁控溅射技术由于沉积温度低,成本低,非常适合沉积应用于GHz通信系统中体声波(BAW)和表面声波(SAW)器件的(002)取向的AlN薄膜。本文先概述了反应溅射的两个模型,然后综述了工艺参数... AlN薄膜在力学、光学和电子学中有着广泛的应用,而反应磁控溅射技术由于沉积温度低,成本低,非常适合沉积应用于GHz通信系统中体声波(BAW)和表面声波(SAW)器件的(002)取向的AlN薄膜。本文先概述了反应溅射的两个模型,然后综述了工艺参数包括溅射气压、溅射功率、氮气浓度、衬底温度、衬底种类、靶基距、薄膜厚度、衬底偏压、退火处理等对AlN薄膜生长和性能的影响。 展开更多
关键词 氮化铝 反应溅射 (002)择优取向 工艺参数
下载PDF
Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究 被引量:4
2
作者 张倩 陈希明 +2 位作者 杨保和 阴聚乾 吴晓国 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期935-939,共5页
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜... 采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。 展开更多
关键词 声表面波器件(SAWD) (002)择优取向 Al薄膜
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部