体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法

从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃30%(质量分数)的KOH腐蚀液条件下的特征晶面(111)、(311)以及与衬底同簇的(110)晶面与衬底相交,得到平面特征晶向,从而构建补偿图形的拓扑框架,最终选择拓扑框架中的部分晶向构成具体的补偿图形.利用各向异性三维仿真软件对由该方法设计得到的补偿结果进行验证,模拟结果与设计预期相一致,充分证实了该设计方法的正确可行.

Si(110)衬底上Ⅲ族氮化物薄膜的研究进展

Si（110）衬底与III族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注。详细分析了AlN和GaN薄膜与Si（110）衬底的取向关系,指出了薄膜与Si（110）衬底在[1100]AlN//[001]Si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[1120]AlN//[110]Si方向上的生长速度;综述了Si（110）衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si（110）衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶质量等优势。介绍了Si（110）衬底上氮化物薄膜基LED器件的结构和性能,并指出其应用优势、发展潜力和发展方向。最后,简单讨论了Si（110）衬底上AlN和GaN薄膜还存在的问题及面临的挑战。