偏晶向(111)硅片闪耀光栅的制作

硅光栅的制作可以利用湿法腐蚀体硅工艺 湿法腐蚀利用硅的各向异性 ,由硅的晶面形成光栅工作凹槽 ,利用湿法工艺可以制作在不同光谱波段内工作的闪耀光栅 设计了一种利用偏晶向 (111)硅片制作闪耀光栅的方法 ,使用这种方法可以批量制作闪耀角度较小的光栅 利用扫描电子显微镜 (SEM)进行了光栅表面形貌测试 ,试验结果表明 ,制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形 硅闪耀光栅可以被用来制作微型光谱仪。

纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。