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O_2/Ar气氛中仲钨酸铵热分解制备的WO_3光催化分解水析氧活性 被引量:9
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作者 高友良 陈启元 +2 位作者 尹周澜 周建良 李洁 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期904-908,共5页
在不同组成O2/Ar混合气体条件下,于700℃将仲钨酸铵加热分解制备WO3催化剂。采用XRD、XPS、DRS等技术对催化剂进行表征,考察催化剂在电子接受体Fe3+溶液体系下的光催化分解水析氧活性。结果表明:Ar含量增大,WO3催化剂表面氧空位增加,光... 在不同组成O2/Ar混合气体条件下,于700℃将仲钨酸铵加热分解制备WO3催化剂。采用XRD、XPS、DRS等技术对催化剂进行表征,考察催化剂在电子接受体Fe3+溶液体系下的光催化分解水析氧活性。结果表明:Ar含量增大,WO3催化剂表面氧空位增加,光催化析氧活性增大,纯Ar条件下所得的WO3催化剂光催化析氧活性最高。研究了Fe2+对光催化分解水析氧活性的影响,在Fe3+离子作为电子接受体的光催化分解水析氧反应中,一定浓度的Fe2+离子能明显抑制WO3的析氧活性,当Fe2+离子和Fe3+离子的浓度相当时,WO3催化剂完全失去光催化析氧活性。 展开更多
关键词 Wo3 o2/ar气氛 氧空位 光催化 分解水
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总气压与Ar/O_2流量比对直流对向靶磁控溅射TiO_2薄膜光催化性能的影响(英文) 被引量:3
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作者 陈芃 谭欣 于涛 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2162-2168,共7页
采用对向靶磁控溅射法在不同气压和Ar/O2流量比条件下,以氟化SnO2(FTO)导电玻璃为基底制备了多晶TiO2薄膜.台阶仪测量结果显示所制备TiO2薄膜的平均厚度约为200nm.随着溅射气压的升高,TiO2薄膜由锐钛矿与金红石混晶结构转变为纯锐钛矿结... 采用对向靶磁控溅射法在不同气压和Ar/O2流量比条件下,以氟化SnO2(FTO)导电玻璃为基底制备了多晶TiO2薄膜.台阶仪测量结果显示所制备TiO2薄膜的平均厚度约为200nm.随着溅射气压的升高,TiO2薄膜由锐钛矿与金红石混晶结构转变为纯锐钛矿结构.分别采用场发射扫描电镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)分析了不同气压和Ar/O2流量比对TiO2薄膜表面形貌的影响,结果显示TiO2薄膜的表面粗糙度随溅射总气压和Ar/O2流量比的增加而增大.以初始浓度为100×10-6(体积分数)的异丙醇(IPA)气体为目标物检测所制备TiO2薄膜的光催化性能,并分析该气相光催化反应的机理,在紫外照射条件下异丙醇先氧化为丙酮再被氧化为CO2.当总溅射气压为2.0Pa、Ar/O2流量比为1:1时,溅射所得TiO2薄膜具备最优光催化活性并可在IPA降解反应中保持较高的催化活性和稳定性. 展开更多
关键词 TIo2薄膜 对向靶磁控溅射 总气压 ar/o2流量比 异丙醇降解 超亲水性
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额定压强下O_2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响 被引量:2
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作者 邓雪然 邓宏 +1 位作者 韦敏 陈金菊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期227-229,共3页
采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明:在0.2Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率(ρ)... 采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明:在0.2Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率(ρ)值越低。在纯氩气状态下溅射时,制得的薄膜具有最大的厚度值,约为2.06μm,并具有最强的XRD峰,ρ同时也达到最小值,阻值为2.66×10-4Ω.cm。研究表明:结晶性能的提高对薄膜ρ的降低起到了关键作用,而厚度的增加也会使电阻率下降。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Zno:Al(AZo)薄膜 o2/ar 导电性能
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O_2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO_2薄膜光催化性能的影响 被引量:1
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作者 张粲 丁万昱 +1 位作者 王华林 柴卫平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期106-110,共5页
利用直流脉冲磁控溅射方法在不同O2/Ar比例条件下制备具有不同结构、性能的TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线衍射仪及紫外-可见分光光度计等仪器,对薄膜的结构、透光性能、光催化性能等进行表征。研究结果表明:TiO2薄膜的结构、光催化性能等... 利用直流脉冲磁控溅射方法在不同O2/Ar比例条件下制备具有不同结构、性能的TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线衍射仪及紫外-可见分光光度计等仪器,对薄膜的结构、透光性能、光催化性能等进行表征。研究结果表明:TiO2薄膜的结构、光催化性能等强烈依赖于沉积过程中的O2/Ar比例。在低O2/Ar比例条件下制备的TiO2薄膜,薄膜处于O控制生长阶段,相应薄膜处于高速生长状态,薄膜经退火处理后形成锐钛矿(101)相择优取向结构,同时薄膜对甲基橙溶液降解率较低。随着O2/Ar比例的增加,薄膜生长速率逐渐降低,薄膜逐渐呈现多相混合生长,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相与(004)相的混合相结构,相应薄膜对甲基橙溶液降解率增加,在O2/Ar比为6/14时,其对甲基橙溶液降解率达到最大值,为86.45%。继续增加O2/Ar比例,在高O2/Ar比例条件下,薄膜沉积速率较低,沉积离子有充足的驰豫时间释放自身能量以寻找低能位置,因此在薄膜沉积过程中主要形成能量最低的锐钛矿(101)相结构,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相择优取向结构,在O2/Ar比为20/0时,薄膜对甲基橙溶液降解率下降至52.15%。 展开更多
关键词 磁控溅射 TIo2薄膜 o2/ar比例 光催化性能
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C_2H_2-O_2-Ar和C_2H_2-N_2O-Ar直接起爆形成爆轰的临界能量 被引量:2
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作者 张博 白春华 《爆炸与冲击》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期592-598,共7页
采用高压电点火进行直接起爆形成爆轰,起爆能量通过放电过程中电流的输出信号确定。首先通过实验测定并对比C2H2-O2-Ar和C2H2-N2O-Ar等2种混合物在各种初始状态下直接起爆形成爆轰的临界起爆能量。实验结果表明,在相同状态下C2H2-N2O-A... 采用高压电点火进行直接起爆形成爆轰,起爆能量通过放电过程中电流的输出信号确定。首先通过实验测定并对比C2H2-O2-Ar和C2H2-N2O-Ar等2种混合物在各种初始状态下直接起爆形成爆轰的临界起爆能量。实验结果表明,在相同状态下C2H2-N2O-Ar混合物的临界起爆能量显著高于C2H2-O2-Ar混合物的。进一步基于各物质爆炸特征长度和爆轰临界管径的参量关系对临界起爆能量差异性进行分析,得到了C2H2-N2O-Ar混合气体的爆轰临界管径预测曲线,并在此基础上得出C2H2-N2O-Ar混合物爆炸特征长度与临界管径的关系为r0=2.5dc,而C2H2-O2-Ar两者关系为r0=2dc。结果清晰地表明,使用N2O作为氧化剂,爆炸特征长度与爆轰临界管径之间的比例因数增大,表明该物质直接起爆形成爆轰所需的起爆源单位能量增大,因而直接形成爆轰的临界能量相应提高。 展开更多
关键词 爆炸力学 临界起爆能量 直接起爆 C2H2-o2-ar 爆轰 爆炸特征长度 爆轰临界管径
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用BENDER状态方程计算N_2—Ar—O_2体系的热力学参数 被引量:1
6
作者 刘芙蓉 高宁波 张荻 《氮肥设计》 CAS 1996年第3期24-28,共5页
Bender状态方程可用于N_2—Ar—O_2三元体系,进行热力学性质计算精度较高.本文根据Bender方程推导出焓、熵、比热等热力学参数的计算公式,对N_2、Ar、O_2及其混合物进行计算,并与实验数据进行比较,结果令... Bender状态方程可用于N_2—Ar—O_2三元体系,进行热力学性质计算精度较高.本文根据Bender方程推导出焓、熵、比热等热力学参数的计算公式,对N_2、Ar、O_2及其混合物进行计算,并与实验数据进行比较,结果令人满意. 展开更多
关键词 状态方程 计算 热力学参数
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O_2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO_2薄膜的影响 被引量:1
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作者 刘文婷 刘正堂 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期62-66,共5页
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气... 采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降。O2/Ar气体流量比为0时制备的薄膜沿[001]方向择优取向生长,具有较高的结晶程度,较大的晶粒尺寸和柱状晶形貌。O2/Ar气体流量比不为0时制备的薄膜没有出现择优生长,结晶程度较低,晶粒尺寸较小,具有球形颗粒状形貌。随着O2/Ar气体流量比从0.25增加到0.50,薄膜的晶粒尺寸有所增大,形貌变化不大。最后探讨了O2/Ar气体流量比为0时制备HfO2薄膜择优取向生长的机理。 展开更多
关键词 HFo2薄膜 o2/ar气体流量比 择优取向生长
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低阶煤半焦利用热重在O_2/CO_2、O_2/N_2和O_2/Ar气氛下燃烧特性研究(英文) 被引量:3
8
作者 沈国栋 王志奇 +4 位作者 武景丽 何涛 李建青 杨静 吴晋沪 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1066-1073,共8页
利用热重研究了两种中国西北典型低阶煤半焦的燃烧特性。探究了不同气氛(O_2/CO_2、O_2/N_2和O_2/Ar)和不同氧气浓度对其燃烧特性的影响。实验结果表明,无论是反应气氛还是氧气浓度都会对低阶煤半焦的燃烧产生影响。相比于N_2和Ar,CO_2... 利用热重研究了两种中国西北典型低阶煤半焦的燃烧特性。探究了不同气氛(O_2/CO_2、O_2/N_2和O_2/Ar)和不同氧气浓度对其燃烧特性的影响。实验结果表明,无论是反应气氛还是氧气浓度都会对低阶煤半焦的燃烧产生影响。相比于N_2和Ar,CO_2明显有利于燃烧反应进行:当反应气氛由O_2/CO_2变为O_2/Ar时,两种不同低阶煤半焦的燃尽温度分别升高了63.7和68.8℃;而当反应气氛由O_2/CO_2变为O_2/N_2时,两种不同低阶煤半焦的燃尽温度分别升高了135.9和129.6℃。在研究范围内,氧气浓度的提高也能明显提高半焦的燃烧性能。与此同时,半焦燃烧特性的动力学分析表明,随着氧气浓度提高,两种半焦燃烧反应的表观活化能E和指前因子A均呈增大趋势。通过对E和A两者关系的分析结果表明,半焦富氧燃烧的活化能和指前因子存在动力学补偿效应。 展开更多
关键词 低阶煤半焦 燃烧特性 热重分析法 o2/N2 o2/Co2 o2/ar气氛 不同氧气浓度 动力学分析
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Ar-O2气体去除硅铁合金中金属杂质研究 被引量:1
9
作者 张彦辉 李亚琼 +1 位作者 雷勋惠 张立峰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期66-72,共7页
硅铁合金在炼钢过程中被广泛用作合金剂和脱氧剂,其中含有的金属杂质Al,Ca,Ti会直接影响钢液的洁净度,因此采用顶吹Ar-O2气体的方法去除硅铁合金中的金属杂质。借助自动扫描电镜统计精炼前后硅铁合金中杂质相的形貌、成分、面积分数,通... 硅铁合金在炼钢过程中被广泛用作合金剂和脱氧剂,其中含有的金属杂质Al,Ca,Ti会直接影响钢液的洁净度,因此采用顶吹Ar-O2气体的方法去除硅铁合金中的金属杂质。借助自动扫描电镜统计精炼前后硅铁合金中杂质相的形貌、成分、面积分数,通过ICP-AES测试金属杂质的含量变化。结果表明:硅铁合金原料中含有大量的金属杂质相,Al,Ca,Ti杂质含量分别为1.11%(质量分数,下同),0.31%,0.11%;吹气精炼5min时,Al和Ca的含量分别急剧降低至0.66%和0.13%;吹气精炼45min后,杂质元素去除速率变缓,精炼反应趋于平衡;吹气精炼120min时,Al,Ca,Ti含量分别降低至0.42%,0.014%,0.094%,去除率分别为62.16%,95.48%,14.54%。吹气精炼方法能有效去除硅铁合金中Al和Ca杂质,Ti杂质去除效果不明显。 展开更多
关键词 硅铁合金 提纯 去除率 ar-o2气体 杂质相
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Ar/O_2对磁控溅射法制备Bi_(1.5)MgNb_(1.5)O_7薄膜结构与性能的影响
10
作者 高虹 朱明康 +1 位作者 吕忆农 刘云飞 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第3期1-6,共6页
采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)薄膜。通过X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明:经过700℃O2气氛下退火处理,BMN薄膜形... 采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)薄膜。通过X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明:经过700℃O2气氛下退火处理,BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构。当Ar/O2流速比为2∶1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的介电常数、低的介电损耗(1 MHz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和0.4%),并且在0.8 MV/cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为16.4%和36。 展开更多
关键词 BI1 5MgNb1 5o7薄膜 磁控溅射 介电性能 ar o2流速比 调谐率
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Fluid simulation of inductively coupled Ar/O_2 plasmas:Comparisons with experiment 被引量:1
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作者 王艳会 刘巍 +1 位作者 张钰如 王友年 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期343-350,共8页
In this work, a two-dimensional fluid model has been employed to study the characteristics of Ar/O2 radio frequency(RF) inductively coupled plasma discharges. The emphasis of this work has been put on the influence ... In this work, a two-dimensional fluid model has been employed to study the characteristics of Ar/O2 radio frequency(RF) inductively coupled plasma discharges. The emphasis of this work has been put on the influence of the external parameters(i.e., the RF power, the pressure, and the Ar/O2 gas ratio) on the plasma properties. The numerical results show that the RF power has a significant influence on the amplitude of the plasma density rather than on the spatial distribution.However, the pressure and the Ar/O2 gas ratio affect not only the amplitude of the plasma density, but also the spatial uniformity. Finally, the comparison between the simulation results and the experimental data has been made at different gas pressures and oxygen contents, and a good agreement has been achieved. 展开更多
关键词 fluid simulation experimental measurement ar/o2 inductive discharges
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Measurement of the O_2 Dissociation Fraction in RF Low Pressure O_2/Ar Plasma Using Optical Emission Spectrometry
12
作者 刘忠伟 李森 +2 位作者 陈强 杨丽珍 王正铎 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期458-461,共4页
Measurement of the oxygen dissociation fraction in RF low pressure oxygen/argon plasma using optical emission spectrometry is presented. The oxygen dissociation fraction and its evolutions as functions of operational ... Measurement of the oxygen dissociation fraction in RF low pressure oxygen/argon plasma using optical emission spectrometry is presented. The oxygen dissociation fraction and its evolutions as functions of operational parameters were determined using argon as the actinometer. At a pressure of 30 Pa, the oxygen dissociation fraction decreased from 13.4% to 9.5% as the input power increased from 10 W to 70 W. At an input power of 50 W, the oxygen dissociation fraction decreased from 12.3% to 7.7% when the gas pressure increased from 10 Pa to 40 Pa. The influences of operational parameters on the generation of atomic oxygen were also discussed. 展开更多
关键词 optical emission spectroscopy RF o2/ar plasma ACTINoMETRY
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氩氧比例对Al_2O_3薄膜结构及性能的影响 被引量:4
13
作者 杨和梅 姚正军 +1 位作者 闫凯 陈丹丹 《有色金属》 CSCD 北大核心 2009年第3期33-36,共4页
以纯铝为靶材,在不同氩氧比例下,采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)、扫描电镜(SEM)和精密阻抗分析等方法检测薄膜的组织结构、化学成分和介电性能。结果表明,在250℃的低温条件下,不同氩氧比例的A... 以纯铝为靶材,在不同氩氧比例下,采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)、扫描电镜(SEM)和精密阻抗分析等方法检测薄膜的组织结构、化学成分和介电性能。结果表明,在250℃的低温条件下,不同氩氧比例的Al2O3薄膜都为非晶结构。随着氧分量的增加,Al2O3薄膜的表面由平滑致密变得粗糙,化学计量失配度增大。在氧分量较小的气氛下,Al2O3薄膜均匀致密,化学计量失配度较小,Al/O原子比接近2/3。随着氩氧比的增大,Al2O3薄膜的介电常数减小和介电损耗增大,当氩氧比为3∶1时,Al2O3薄膜的介电常数较大(ε=7.9~10.3),介电损耗较小(tanδ<0.2),薄膜的介电性能相对较好。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AL2o3薄膜 直流反应磁控溅射 氩氧比 介电性能
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氧氩混合气氛下脉冲激光沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的研究 被引量:3
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作者 代秀红 张宇生 +3 位作者 葛大勇 娄建忠 赵红东 刘保亭 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第8期1464-1469,共6页
利用脉冲激光沉积法(PLD),在质量流量比为1∶3的氧气和氩气的混合气氛下,在STO(001)基片上制备了外延的YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导薄膜。尽管薄膜表面分布有亚微米到微米量级颗粒,但与传统PLD制备YBCO的方法相比,大颗粒的密度要小得... 利用脉冲激光沉积法(PLD),在质量流量比为1∶3的氧气和氩气的混合气氛下,在STO(001)基片上制备了外延的YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导薄膜。尽管薄膜表面分布有亚微米到微米量级颗粒,但与传统PLD制备YBCO的方法相比,大颗粒的密度要小得多。直流电阻和磁化率测量法同时证明了YBCO薄膜的超导转变温度(T_c)大于90 K。在40 K时,零场临界电流密度(J_c)为63.8 MA/cm^2,在5.2 T时达到最大钉扎力密度(F_(pmax))387.9 GN/m^3;在65 K时,零场Jc为28.3 MA/cm^2,在2.6 T时F_(pmax)达到71.3 GN/m^3;在77 K时,零场J_c为8.7 MA/cm^2,在0.91T时F_(pmax)达到12.1 GN/m^3。研究结果为氧气和氩气混合气氛下PLD方法制备YBCO薄膜提供了重要实验数据。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 氧氩混合气氛 YBCo超导薄膜 临界电流密度 磁通钉扎力密度
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Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究 被引量:1
15
作者 储汉奇 李合琴 +2 位作者 聂竹华 都智 朱景超 《真空与低温》 2010年第2期90-94,共5页
以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变... 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。 展开更多
关键词 AL2o3薄膜 直流反应磁控溅射 氧氩比例 光致发光光谱 氧空位 XRD
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氧氩比及基底温度对脉冲磁控溅射Cu2O薄膜结构和光学性能的影响 被引量:1
16
作者 自兴发 杨雯 +3 位作者 杨培志 段良飞 张力元 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1802-1807,共6页
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30... 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30∶80的气氛条件下,基底温度在室温(RT)和100℃时均可获得单相的Cu2O<111>薄膜;薄膜表面致密、颗粒呈球状,粗糙度的均方根(RMS)值随基底温度增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~650 nm,紫外区吸收较强,可见光区吸收强度较弱,吸收强度隨基底温度的增加而增强,光学带隙(E g)随基底温度的增加而减小。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 Cu2o薄膜 氧氩比 基底温度 光学特性
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溅射气体中氩气含量对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜结构和T_c的影响
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作者 李季 王小平 +3 位作者 王霈文 齐善学 李弢 古宏伟 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期41-43,共3页
采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜。样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相,同时显示薄膜的c轴长度,(006),(007)对(005)峰强... 采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜。样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相,同时显示薄膜的c轴长度,(006),(007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变。通过薄膜超导零电阻温度检测发现,YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变。这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中,溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比,Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变,恶化超导电性。 展开更多
关键词 Y1Ba2Cu2o7-δ (YBCo)薄膜 溅射气体组分 (ar/o2) 超导零电阻温度
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ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响 被引量:12
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作者 辛荣生 林钰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期21-23,共3页
在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜... 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ITo 氧氩流量比 电阻率 透光率
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不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响 被引量:4
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作者 潘志峰 袁一方 +2 位作者 李清山 孔繁之 张利宁 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期65-68,共4页
利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍... 利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小. 展开更多
关键词 ZNo薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比
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射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜 被引量:3
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作者 郑泽渔 张树人 +4 位作者 杨成韬 钟朝位 董加和 孙明霞 刘敬松 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期83-86,共4页
研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利... 研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化锌薄膜 射频功率 氧氩比(V(o2)/V(ar)) 衬底温度 声表面波器件
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