(BN)_n团簇的结构和稳定性

用HF方法、密度泛函理论的B3LYP以及微扰理论的MP2方法 ,在 6 3 1G(d)基组水平上 ,对 (BN) n(n =1～ 16)团簇的各种可能结构进行了优化 .讨论了环状与笼状稳定团簇的几何构型、自然键轨道 (NBO)、振动频率、结合能、核独立化学位移 (NICS)和能量二次差分 ,得到了 (BN) n(n =1～ 16)团簇结构的稳定性信息 .比较了HF ,B3LYP以及MP2三种理论方法对(BN) n 团簇的适应性所表现出的差异 .

BN纳米管的结构与性质

采用CASTEP程序包 ,在密度泛函理论 (DFT)框架内 ,在较高的理论水平对BN(n ,0 ) (n =3～ 17)纳米管的几何结构进行了优化 ,优化在a×a×c的正交超原胞中进行 ,并对其结合能和电学性质进行了计算 .结果发现 ,BN(n ,0 )纳米管的结合能随着n的增大而增大 ,并趋于收敛 .BN(n ,0 )纳米管的禁带宽度随着n的增大而增大 ,并收敛于 5 .3 9eV .

含硼氮中碳铝镇定钢中BN夹杂析出热力学分析

运用数值模拟方法对含硼氮中碳铝镇定钢中BN 析出的热力学条件进行分析,研究该钢种在冶炼浇注及加热奥氏体化过程中BN夹杂物的析出规律,并与试验情况进行了比较.结果表明,在钢液中初始ω（B）≤0.012%、初始w（N）≤0.03%的情况下,含硼氮中碳铝镇定钢浇注凝固过程中不能析出BN夹杂物,且钢液中B的富集程度远高于N,凝固末期残余液相中,B浓度是其初始浓度的20倍,N 浓度约为其初始浓度的2.1倍;钢中ω（B）为0.005%-0.01%、ω（N）为0.01%-0.03%时,在1470K奥氏体化温度以下,可以稳定析出BN夹杂物,B、N含量越高,BN夹杂开始析出的温度越高;在奥氏体化过程中,钢坯中酸溶铝含量越高,越容易析出BN夹杂物.

二维BN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算

半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺陷能级的深浅性。基于密度泛函理论,结合二维带电缺陷计算方法,系统计算二维BN材料中四种(C B,Si B,Ge B,Sn B)潜在n型掺杂体系的缺陷性质。结果表明,C B(Sn B)体系最稳定价态为+1价(-1价)和0价,而Si B,Ge B体系最稳定价态为+1价,0价和-1价,C B,Si B与Ge B体系相应的施主离子化能为2.00 eV,3.57 eV和4.06 eV,均表现为深能级施主,很难为BN提供n型载流子。另外,C B体系在宿主BN为p型掺杂时+1价态具有负形成能,将会严重降低BN p型掺杂效率及空穴导电率。该研究结果可为实验上对二维BN进行掺杂尝试提供理论依据。

BN-AlN复合陶瓷的制备与性能研究现状

介绍了BN-Al N复合陶瓷的几种常见的制备方法,同时对BN-Al N复合陶瓷的性能研究现状进行了论述,最后对BN-Al N复合陶瓷的未来发展进行了展望。

晶粒尺寸和热处理对Sm_2Fe_(17)N_3/Fe_3N/BN软磁/硬磁复合材料的合成及磁性能影响

采用高能球磨和真空热处理方法制备Sm2Fe17N3/Fe3N/BN复合材料,并研究球磨过程中晶粒尺寸变化对固态相变和磁性能的影响.结果表明:Sm2Fe17N3和Fe3N相产生的条件是Fe的晶粒尺寸达到纳米量级(D<80 nm)并形成Fe(Sm)固溶体;随着退火时间的增加,300℃真空退火的球磨样品中Sm2Fe17N3的结晶物增多,矫顽力提高,表明样品的磁性能与Sm2Fe17N3的结晶程度有关.

富硼渣微波还原氮化合成(Ca,Mg)α'-Sialon-AlN-BN粉

以富硼渣、硅灰、高铝矾土熟料和炭黑为原料,采用微波碳热还原氮化法合成了(Ca,Mg)α′-Sialon-Al N-BN粉。研究了合成温度和时间对反应过程的影响,用X射线衍射法测定了产物相组成及相对含量。结果表明,产物中α′-Sialon含量随温度的升高而增大,1 450℃时α′-Sialon含量达到最大,长柱状晶粒的长径比大,长度约25μm,且晶粒发育完全,为最佳合成温度;1 480℃时α′-Sialon含量减少,表明部分已经发生分解。

W_mB_n(m+n≤7)团簇结构与稳定性的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在LANL2DZ基组水平上优化W m B n(m+n≤7)团簇的几何结构,得到它们的基态构型,并对基态构型的平均结合能、二阶能量差分、能隙及WIB键级进行计算.结果表明:WB n团簇的基态构型均是平面结构;当m≥2且m+n≥4时,除W3B团簇外,其余团簇的基态结构均为立体结构;团簇的热力学稳定性随W原子个数的增加越来越好,W-W键的强度明显高于W-B和B-B键,W原子对团簇的稳定性起主导作用;W2B2和W3B团簇最稳定.

氮化硼含量对低压烧结制备Ti(C,N)基金属陶瓷微观组织和力学性能的影响

通过低压烧结制备了Ti(C,N)基金属陶瓷,研究了氮化硼(BN)含量对Ti(C,N)基金属陶瓷微观组织和力学性能的影响。研究结果表明,烧结后的金属陶瓷微观组织呈现出典型的芯环结构。随着BN含量的增加,Ti(C,N)基金属陶瓷的黑色芯相尺寸减小,白芯灰环结构数量增加,整体微观组织随BN的添加更加均匀。另外,随着BN含量的增加,硬质相与粘结相之间的润湿性降低,金属陶瓷的孔隙率提高;而适量的BN有利于改善Ti(C,N)基金属陶瓷的微观结构并提高最终的力学性能。当体系中BN含量为1.5%时,Ti(C,N)基金属陶瓷的硬度值最大,达到了1710 HV_(30);当BN含量为2.0%时,Ti(C,N)基金属陶瓷的韧性最大,为9.4 MPa·m^(1/2),与未添加BN的试样相比,提高了10.59%;当BN的添加量超过1.5%时,金属陶瓷的抗弯强度降低,试样断口处穿晶断裂减少,沿晶断裂增加。总体而言,当BN含量为1.5%时,Ti(C,N)基金属陶瓷试样拥有最佳的综合力学性能。

Preparation and characterization of thick cubic boron nitride films

Cubic boron nitride （c-BN） films are prepared by the radio frequency magnetron sputtering technique. The stresses and crystallinities of the films are estimated by the Fourier transform infrared spectroscopy of c-BN samples, including the peak shifts and varieties of full widths at half maximum. The effects of the B-C-N interlayer and the two-stage deposition method on the c-BN films are investigated. Then the thick and stable c-BN films are prepared by a combination of the two methods. The properties of the interlayer and film are also characterized.

牦牛瘤胃细菌中核糖核酸含量及其与细菌总氮比值的研究

７头带有瘤胃瘘管的生长阉牦牛，在两个试验中分别给予不同的日粮以研究其瘤胃细菌中核糖核酸（ＲＮＡ，下同）含量及ＲＮＡ与细菌总氮（ＢＮ，下同）的比值（ＲＮＡ／ＢＮ）和核糖核酸氮（ＲＮＡ—Ｎ，下同）与ＢＮ的比值（ＲＮＡ—Ｎ／ＢＮ）。试验Ⅰ的４头牛分两期分别喂给粗蛋白（ＣＰ）８％和１２％的等能（９６ＭＪＭＥ／ｋｇＤＭ）日粮；试验Ⅱ的３头牛通过３×３拉丁方设计喂给蛋白饲料为菜籽饼、豌豆和蚕豆，精粗比为７：３，５：５和３：７的等能（９６ＭＪＭＥ／ｋｇＤＭ）、等氮（ＣＰ为１２％）日粮。结果表明，日粮精粗比与蛋白来源对细菌中ＲＮＡ含量及ＲＮＡ／ＢＮ和ＲＮＡ－Ｎ／ＢＮ均无明显影响，而蛋白水平对其有显著影响。当日粮ＣＰ为８％时，瘤胃细菌中ＲＮＡ与ＣＰ含量及ＲＮＡ／ＢＮ与ＲＮＡ－Ｎ／ＢＮ分别为１６９％、２８８％、３７，０３３；当日粮ＣＰ为１２％时，则上述４项指标依次为９８５％、３７１％、１６９、０１５。

立方氮化硼薄膜的制备及研究

通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能。结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力。X射线光电子能谱结果显示在B-C-N三元过渡层内形成了成分的逐渐变化,同时各元素间杂化成键。过渡层的添加使得在硅片基底上成功制备了性能稳定的立方氮化硼厚膜。

应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文)

基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.