勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟

采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．

基于自适应噪声抵消的CZ单晶炉炉膛温度信号处理

为滤除CZ单晶炉炉膛温度信号在单晶生长过程中存在的低频干扰,提出一种基于噪声抵消技术的滤波方法.首先利用傅立叶级数构造出低频干扰的逼近信号,然后根据炉温信号的缓变特征建立能够获取低频干扰逼近信号的抵消器误差函数,最后利用一种改进的粒子群优化算法优化误差函数获得低频干扰的逼近信号,并用该逼近信号抵消低频干扰.实验结果表明,所提出的自适应噪声抵消滤波算法能够有效滤除CZ单晶炉炉膛温度信号中的低频干扰,并优于常用的滤波方法.

硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅱ.质量传递特性

使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性.结果表明:在小型硅Cz炉中,晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率;安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型,Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面,使晶体中氧浓度降低.

CZ铁路隧道重难点地质问题及减灾防治对策

研究目的:CZ铁路因其穿越青藏高原中东部的横断山区,内外动力地质作用强烈,不良地质发育,隧道建设规模和技术难度极大;本文基于沿线地形地貌、地层岩性、地质构造、不良地质、气候及环保等因素分析CZ隧道工程特征,研究内外动力地质作用下沿线隧道重难点工程地质问题对隧道建设的影响,并探讨其减灾防治对策,以期为CZ铁路隧道工程建设服务。研究结论:(1)CZ铁路隧道建设具有规模大、占比高、长度长、埋深大、地质条件差、工程环保要求高等特征;(2)内动力地质作用下工程地质问题如高烈度地震、深大活动构造、高地应力、高温热害、涌水突泥、有害气体等主要影响隧道洞内工程建设,应树立前期减灾选线与后期强化减灾防治措施并举的理念;(3)外动力地质作用下的工程地质问题如高位远程崩滑、泥石流、岩屑坡等主要影响隧道进出口段工程,应树立前期防灾减灾选线与后期强化支防护工程和监测并举的理念;(4)弃渣场选址应考虑沿线城镇分布、投资经济性、安全等因素,遵循防灾减灾与生态环保并举的理念,注重弃渣场的稳定性和适宜性评价,强化渣体的支挡防护工程;(5)本研究成果对类似工程地质条件下的滇藏线和西南山区其他铁路公路线隧道工程选线和建设具有借鉴意义。

CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究

CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。

硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅰ.传热与流动特性

利用有限元方法对炉内的动量和热量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochral-ski(Cz)法生长时的总体传热和流动特性.假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟结果表明:熔体流型及炉内传热特性与Marangoni效应密切相关,设置在晶体和坩埚间的气体导板能降低加热器的功率并改变熔体流型.

CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质

介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发。

掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。

大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展

概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法.

基于MIC的Cz单晶硅放肩阶段关键特征参数辨识

直拉单晶硅生长过程中放肩阶段常由于断棱的出现导致无法顺利进入等径生长。为研究影响断棱的关键特征参数,提出采用最大互信息系数法(MIC)辨识直拉单晶硅放肩阶段关键特征参数。分别采用最大互信息系数法(MIC)、层次分析法(AHP)计算特征参数与放肩断棱的相关系数,按照降序依次提取前k项直至全部特征参数作为输入参数,在逻辑斯蒂回归模型进行放肩断棱预测评估。结果表明,采用MIC提取特征参数的前13项特征作为输入参数时,模型的准确度最高;且采用MIC法在预测精度上优于AHP法。

NTD CZ-Si708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带特性

本文报道了NTD CZ-Si 708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.

Cz法晶体生长中的流动与传热

本文针对Cz法晶体生长特点,通过数值模拟的方法,对Cz法生长砷化镓单晶时从引晶、放肩、等径至收尾这一完整工艺过程中晶体的温度场、熔体的温度场和速度场进行了计算,从中分析籽晶和坩埚的转向、转速等因素对流动和传热的影响,并与实际的砷化镓单晶生长过程进行比较,从比较结果看,二者基本吻合。

CZ-5大型结构及低温贮箱静强度试验技术研究

CZ-5新一代运载火箭结构静强度试验的特点是高载荷大尺寸、捆绑载荷、低温贮箱。本文介绍了型号研制过程中静强度试验领域关键技术,主要包括:地基平衡和自平衡相结合的承力系统及高载荷大尺寸结构静力试验方法;大型贮箱低温应变计粘贴工艺研究和低温静力试验测试技术;以及设计一套开放式的超低温(-196°C、)环境下焊接试片拉伸试验及全场数据分析系统,并获得了低温贮箱焊接试片的焊缝区、熔合区、母材区域的低温力学性能。为新一代大运载火箭结构静强度试验提供技术支撑。

CZ-3A系列运载火箭

ＣＺ－３Ａ系列运载火箭，是指由长征三号甲（ＣＺ－３Ａ）及其发展型长征三号乙（ＣＺ－３Ｂ）和长征三号丙（ＣＺ－３Ｃ）３种火箭组成的大型火箭群体。主要用于发射地球同步转移轨道（ＧＴＯ）有效载荷，也可用于近地轨道（ＬＥＯ）、太阳同步轨道（ＳＳＯ）以及飞往月球与火星等深空探测有效载荷的发射。该系列火箭是目前中国运载能力最大的系列火箭，也是中国跨世纪的商业应用发射的大型主力火箭。

CZ-3A系列运载火箭(续)

ＣＺ－３Ａ系列运载火箭，是指由长征三号甲（ＣＺ－３Ａ）及其发展型长征三号乙（ＣＺ－３Ｂ）和长征三号丙（ＣＺ－３Ｃ）３种火箭组成的大型火箭群体。主要用于发射地球同步转移轨道（ＧＴＯ）有效载荷，也可用于近地轨道（ＬＥＯ）、太阳同步轨道（ＳＳＯ）以及飞往月球与火星等深空探测有效载荷的发射。该系列火箭是目前中国运载能力最大的系列火箭，也是中国跨世纪的商业应用发射的大型主力火箭。

促进剂DZ／CZ并用体系硫化特性的研究

从并用比和用量两个角度考察促进剂ＤＺ／ＣＺ并用体系的硫化特性，以探讨替代促进剂ＮＯＢＳ的可能性。研究表明，促进剂ＤＺ，ＣＺ并用仅起互补作用。因为促进剂ＣＺ在交联密度和效率上均强于促进剂ＤＺ，所以并用体系的特性转变前移至１：０．５左右的并用比处。促进剂ＤＺ／ＣＺ固定并用比在硫化特性曲线上与促进剂ＮＯＢＳ只有一个相交点，只有变并用比体系才能在整个用量范围内与促进剂ＮＯＢＳ相近。提出了促进剂ＤＺ／ＣＺ变并用比体系等量替代促进剂ＮＯＢＳ的换算式［ＤＺ］／［ＣＺ］＝１／ｋ［ＮＯＢＳ］。

锗对CZ Si中新施主的影响

等价元素锗 (Ge) ,掺入CZSi中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径 ,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时 ,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体 (Ge—VX) ,降低了空位的浓度。因此 ,锗掺入到CZSi中可以抑制新施主 (ND)的形成速率和最大浓度 ,提高了硅的高温稳定性 ,改善硅材料的内在质量。随着Ge浓度的增加 ,这种抑制施主效应也越明显。本文简要地探讨了Ge在CZSi中抑制新施主形成的机理。

掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究

利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.

2-甲氧基雌二醇对骨髓瘤细胞系CZ-1细胞诱导分化作用初探(英文)

本研究观察2-甲氧基雌二醇(2ME2)对骨髓瘤细胞是否具有直接的诱导分化作用。以自行建立的、能分泌λ轻链蛋白的骨髓瘤细胞系CZ -1细胞为研究对象,通过瑞氏染色观察其形态变化,用流式细胞术分析2ME2作用后细胞表面标志CD49e的表达率,采用免疫比浊法测定培养上清液中λ轻链蛋白浓度。结果表明: CZ-1细胞经0·1 -0.5μmol/L2ME2作用72小时后细胞形态向成熟发展,见核浆比例降低,核仁减少或消失,染色质变得更粗糙更致密;细胞表面标志CD49e表达率明显上调,并呈浓度依赖性,与对照组比较统计学意义明显; 0.1和0.5μmol/L2ME2处理72小时后, CZ-1细胞分泌λ轻链蛋白分别由29.3±2.77μg/ml增至35.97±2.6μg/ml(P<0·05)和增至79.67±1.88μg/ml(P<0.01),显示浓度效应依赖关系。结论:较低浓度2ME2能促使CZ -1细胞向成熟阶段分化, 2ME2这一作用的发现能为骨髓瘤的治疗提供新的有效的方法。

ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制

详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。